关于三极管饱和导通电压Vce的疑问

发表于 2010-11-8 12:36

三极管饱和导通电压Vce一般计算就取0.2这样,但是我看三极管的特性曲线,可以远低于这个电压的,例如可以低到几十mv,为什么几乎没有看到有课本或资料提到这个?难道是我理解错了?

发表于 2010-11-8 12:39

你看看曲线上集电极电流是多少？

发表于 2010-11-8 12:40

这个，不同管子在不同Ic下都不同。须看具体器件特性。

登录 · 发表于 2010-11-8 12:58

本帖最后由 donkey89 于 2010-11-8 13:06 编辑

从这个图看,Ic=1ma的时候,Vce低于20mv呢,很低的一个数值了,也就是说,在Ic=1ma的时候,Vce结的饱和电压可以低至20mv,可以这样理解吗

发表于 2010-11-8 13:21

没错，小功率三极管在电流很小时，饱和压降非常的小。

发表于 2010-11-8 13:26

注意图中的IC/IB = 10，这个条件必须满足。

发表于 2012-9-16 22:51

额，最近看书，同问，
看手册
图中的IC/IB = 10
这个貌似是测试条件吧。

我想知道书上说Vce在大约0.7v是饱和临界点，在0.7v以下都是饱和的，为什么在设计的时候手册上说
Vce（sat）=0.2.这是怎么来的。使用别的值，譬如0.4可以么？

发表于 2012-9-17 07:17

除非0.2或0.4对电路特性影响很大，否则就不要太关心了。0.1~1V都可能被认为是饱和.

发表于 2012-9-17 20:05

恩，谢谢，Lgz2006。只不过最近比较闲，所以才会抓这些小问题。纯属满足自己的好奇心。
昨天晚上也拜读了一些资料，
http://wenku.baidu.com/view/13041dea998fcc22bcd10d23.html
这个东西对我启发很大，即使三极管工作在饱和状态，饱和的深度也是不同的，不同的深度，在开关的时间上有所不同，如果不是高速开关一般不需注意。
希望大家继续拍砖。
最好整理出体系。呵呵。。

发表于 2012-10-7 22:09

来学习了。

发表于 2012-10-9 16:06

管子的型号不同（针对的应用不同），差别也很大，专门的开关管可以很低，达林顿管肯定高于1V
不考虑成本，小功率开关完全可以用MOS管，压降接近0
所以这个参数往往对大功率开关管更重要

发表于 2012-10-9 16:08

很正常，小的Ic电流，可以深度饱和，压降可以到几个mV。

发表于 2012-10-9 16:09

很正常，小的Ic电流，可以深度饱和，压降可以到几个mV。

发表于 2012-10-10 23:39

小小的三极管，博大精深啊

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