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低电压升压大电流芯片 外置MOS驱动升压IC GS3660

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mk0002|  楼主 | 2010-11-12 11:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
在许多应用场合,都需要将低电压升至适合用电设备使用的较高电压。
如太阳能电池供电电路,常需要将其2.2~5.0V的低电压升至可供使用的12V,
甚至更高的电压。再如3.7V锂电池升压到5V给便携设备供应较大电流,
必须将这么低的电压升至可供使用的5V、12V或24V等标准电压,
而一般小轿车轿车为12V蓄(电池亏电和充满电电压范围在10.5V~14.5V)之间,
这样低的电压无法使19V供电笔记本正常工作。而且要求DC/DC变换器的输出功率在几十W以上。
因而有必要开发出一种低电压、大电流DC/DC升压变换器。
  中广芯源-就开发了一款利用高效开关器件MOSFET及高性能IC控制器,其框图如图1示。
  GS3660应用的典型电路,芯片的输入范围为2.2~15V,该控制器采用独特的控制方案,
PWM(脉冲宽度调制)的优越性,提供一个高效、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流,
在重载情况下具有较高的效率,噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波,
这样便于降低电路成本及电路的尺寸。该电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出,
宽电压供电2.2V-15V,宽工作频率50KHZ-1MHZ振荡频率,具有欠压保护功能、软启动及短路保护功能。
使电路工作更稳定!
中广芯源  姜生
电话:0755-29463758  13424297678
在线QQ:370368561
邮箱:sz81275006@126.com
公司商务网址:http://www.086ic.cn
公司企业网址:http://www.zgsemi.com

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