今年年初,IDT耗资7亿美元完成收购全硅振荡器供货商Mobius Microsystem,取得该公司模拟和混合信号频率核心技术。IDT期望以两家公司的结合来扩展其在计时产品领域的领导地位。现如今,IDT带来革命性的计时产品——业界精度最高的全硅CMOS 振荡器IDT3C02,在整个温度、电压和其他因数方面实现了100ppm 总频率误差。
IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术,可产生高精度的片上频率。由于该器件不包含任何运动元件,无需依赖压电或机械谐振器,实现了优良的耐冲击和振动能力。IDT3C02采用可编程架构,支持各种配置选项。此外采用独特的模拟核设计,其功耗低于 2.5mA(空载典型值)。IDT3C02 还具有 200nA(典型值)的低功耗待机模式,以及 100μs(典型值)的快速启动时间。IDT3C02使用业界标准的 5×3.2mm MSL1 塑料 IC 封装。这些功能组合使该器件非常适合功率敏感的设计,允许频繁的开关电源以进一步节省功耗。
IDT硅晶频率控制事业群总经理Michael McCorquodale博士,Mobius Microsystem公司的创始人,也是IDT CMOS 振荡器技术的创始人,表示IDT3C02 振荡器瞄准的是取代现有传统石英振荡器的市场。Michael解释到,全硅CMOS振荡器具有传统石英振荡器所不及的减少结构复杂度与体积优势,性能已能与石英振荡器相抗衡。传统石英共振器频率最大仅为40MHz,而全硅晶CMOS振荡器频率高达100MHz以上。 此外,相较于金属与陶瓷封装材料,CMOS振荡器的塑料封装,在成本上更具竞争力。
当谈及CMOS 振荡器和MEMS振荡器的发展前景,Michael认为这两类振荡器各有千秋。相比而言,MEMS振荡器准确率更高,成本结构高,更适用于高性能应用领域。CMOS 振荡器在同MEMS振荡器近似准确率时,功耗更低,而其单片、塑料封装等特点使其针对石英振荡器市场上更具竞争力。 |