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请教:为何IGBT驱动需要负压

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PowerAnts| | 2010-12-1 18:48 | 只看该作者
关的快些纯属无稽之谈,关的可靠些才是真正的目的

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airwill| | 2010-12-1 19:12 | 只看该作者
不是必须的啦, 倒是 IGBT 的驱动比 mos 小些.

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airwill| | 2010-12-1 19:14 | 只看该作者
本帖最后由 airwill 于 2010-12-1 19:27 编辑

不是必须的啦, 倒是 IGBT 需要的驱动电流 (电荷) 比 MOS 小些. 但速度上的确略慢些, 估计于结构有关.

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lwag| | 2010-12-1 19:27 | 只看该作者
有利于提高IGBT的耐压。

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PowerAnts| | 2010-12-1 19:32 | 只看该作者
提高耐压?Vge<Vth, 不管是2V,0V,还是-10V,耐压一样

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lwag| | 2010-12-1 19:47 | 只看该作者
你确定IGBT都一样。
据我所知,加负压对双极型晶体管可明显提高耐压。

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PowerAnts| | 2010-12-1 20:28 | 只看该作者
IGBT的输入是VMOS,输出是BJT,那个BJT是接在VMOS上的,加的负压是加在栅极,可不是加在BJT的B极,麻烦看清楚IGBT结构再说

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PowerAnts| | 2010-12-1 20:29 | 只看该作者
而且,BJT的B极加负压,与加零压,耐压也一样

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lwag| | 2010-12-1 20:58 | 只看该作者
有这种事情?大功率的BJT也一样吗?

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lwag| | 2010-12-1 21:01 | 只看该作者
我觉得你的结论是错误的, 我看BJT的特性曲线,在关断瞬间加一个负压(是瞬间)可以明显提高耐压。

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谈的元| | 2010-12-1 21:08 | 只看该作者
负压是可靠关断

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PowerAnts| | 2010-12-1 21:34 | 只看该作者
IGBT可不是BJT,弄清楚

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chunyang| | 2010-12-1 23:08 | 只看该作者
蚂蚁说的不错

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lwag| | 2010-12-2 08:29 | 只看该作者
IGBT也一样,内部也有一个BJT,关段瞬间由于漏感引起高压冲击,设置一个负压有利于提高器件耐压。

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YINGZEZIGA| | 2010-12-2 09:56 | 只看该作者
好像IGBT的厂商是这么推荐的

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maychang| | 2010-12-2 09:59 | 只看该作者
BJT耐压取决于基极到发射极电阻。
基极开路,电压也是零,基极短路,电压也是零,但耐压相差很大。

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PowerAnts| | 2010-12-2 10:08 | 只看该作者
基极开路,电压不会是零,由于集电结存在穿透电流,在发射结上会产生一个压降,另外会通过放大作用,引起CE间更大的电流。短路发射结,就是为了消除这个问题

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maychang| | 2010-12-2 10:28 | 只看该作者
从内部看当然不是零,从外部来看都没有施加信号。

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itelectron| | 2010-12-2 12:53 | 只看该作者
呵呵 可靠关断

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