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我在查OB2538的资料的时候看到这样的字样

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楼主
王海燕lv|  楼主 | 2010-12-4 19:12 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
maychang| | 2010-12-4 20:28 | 只看该作者
可能是导通电阻4.4欧姆。
最好把原资料贴出来。

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板凳
王海燕lv|  楼主 | 2010-12-4 20:49 | 只看该作者
资料

OB2535_6_8.pdf

252.79 KB

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地板
bamboo03| | 2010-12-5 21:01 | 只看该作者
二楼回复的没错.
MOSFET Rds(on)4.4 ohm

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bamboo03| | 2010-12-5 21:08 | 只看该作者
具体的说,这颗IC内部有MOS.MOS是内置在IC上的,这样做有一些好处;
1,cost(价格)会比较低.-->重点
2,部分参数已调好,设计方面不好说.估计这种IC设计工作频率可以做的高点.

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6
ppzsyy| | 2010-12-6 12:47 | 只看该作者
DS导通电阻

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7
Galway-Zhang| | 2010-12-6 20:36 | 只看该作者
MOS导通后DS的内阻

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8
TPLink| | 2010-12-6 20:40 | 只看该作者
MOS管的DS极可以看做在G极电压控制下的可变电阻。如果是增强型NMOS管,GS电压越高,DS电阻越小。

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