打印

驱动100A/1200V的IGBT

[复制链接]
2181|8
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
nittakulearn|  楼主 | 2010-12-7 13:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
zhaohe2001| | 2010-12-7 15:09 | 只看该作者
大约1A

使用特权

评论回复
板凳
nittakulearn|  楼主 | 2010-12-7 16:55 | 只看该作者
1A就搞定了?so easy?:o

使用特权

评论回复
地板
maychang| | 2010-12-7 20:15 | 只看该作者
可能还不到1A。
按照1A峰值设计应该是足够了。

MOS和IGBT不像BJT,需要很大的驱动电流。若是用BJT的话,输出峰值100A,驱动20A也不够。

使用特权

评论回复
5
PowerAnts| | 2010-12-7 20:16 | 只看该作者
要看IGBT的Ciss,及对速度及EMI的程度,零点几到10A都有可能

使用特权

评论回复
6
nittakulearn|  楼主 | 2010-12-7 21:53 | 只看该作者
请问开关速度对于峰值电流的影响是什么?

使用特权

评论回复
7
PowerAnts| | 2010-12-7 22:05 | 只看该作者
又跟张老撞车了. 常规驱动时1A足够,甚至许多著名驱动IC的出力只有300mA。而有一些特别的利用,如要利用IGBT的反向雪崩加速关断,则可能需要10A

使用特权

评论回复
8
eydj2008| | 2010-12-8 08:00 | 只看该作者
一般选IGBT  在额定电流的5-10倍电流

使用特权

评论回复
9
PowerAnts| | 2010-12-8 15:34 | 只看该作者
:o

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

0

主题

121

帖子

1

粉丝