今天又用到 FLASH 了，对当初一知半解的FLASH，又搬了出来，重新理解、认识。
一、类型理解
分为NOR（或非） NAND（与非）
二、接口理解
NOR（或非）----地址、数据总线分开；
NAND（与非）----地址、数据总线共用。
三、读写单位：
NOR（或非）----字节；
NAND（与非）----页。
四、组成结构：
NOR（或非）----扇区、字节；
NAND（与非）----块、页；
五、擦除单位：
NOR（或非）----扇区；
NAND（与非）----块；
六、原理区别：
A、FLASH区别EEPROM
他们的存储单元基本一致，只是FLASH的存储单元的源极都是连在一起的，因此，擦除是会一起擦除，
而EEPROM是可以按字节独立擦除的，
EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。
EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，
EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating-gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。
技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。
但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。
B、NOR区别NAND
寻址：NAND每次读取数据时都是制定 块地址、页地址、列地址，列地址就是读的页内起始地址，每次都是先将数据读入页缓冲区内，再由I/O输入地址在缓冲区内寻址，其实这里列地址，只是指定起始地址的作用
1、NAND是以页为基本单位操作的。写入数据也是首先在页面缓冲区内缓冲，数据首先写入这里，再写命令后，再统一写入页内，因此每次改写一个字节，都要重写整个页，因为它只支持页写，而且如果页内有未擦除的部分，则无法编程，在写入前必须保证页是空的。
因此NAND页缓冲区的作用就是，保证芯片的按页的读、写操作，是I/O操作与芯片操作的接口、桥梁，因为数据是从I/O输入的又是每次一个字节，因此需要缓冲。
2、NOR则是字节为基本单位操作的，可以字节写、读，但擦除是扇区操作的。
综上所述在芯片操作上，NAND要比NOR快很多，因为NAND是页操作的而NOR是字节操作的。
七、应用：
NAND 正是基于这种构造：块、页，无法字节寻址，页读写本身就靠的是内部复杂的串、并行转换 ，因此也没有很多地址引脚，所以其地址、数据线共用，所以容量可以做的很大 。
NOR 是和SRAM一样的可随机存储的，也不需要驱动，因此，其地址就有限，所以容量普遍较小，其实是受限于地址线。
再就是NAND 坏区较多，
基于以上几点，在工业领域，NOR 用的较多，特别是程序存储，少量数据存储等。
在消费领域，大量数据存储，NAND较多。
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