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关于AT24C04的写保护控制问题

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lijay|  楼主 | 2007-1-6 10:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
    我现在做的一个系统上用到AT24C04,技术资料上的说明是WP端为读写控制口,低电平可读写,高电平只读。
    我把WP端用单片机的I/O口控制,在程序中写0后存数据,存完后置1写保护,可是写0后数据一直存不进去,不知道是怎么回事。
    我在初始化程序中给WP端写0,程序中不对它操作,这样的话就可以正常读写,但是这样不就跟直接接地一样了嘛。
    是不是我的理解或者用法有误?请高手指点一下!谢先!

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沙发
lijay|  楼主 | 2007-1-6 10:47 | 只看该作者

写保护命令的时间问题

以前一直以为是去保护的0电平给出时间不够,就在写0后延时一段时间,呵呵,可是还是不行。
刚试了一下,在写保护的1电平给出的前面加了1ms的延时,就正常了。
分析是E2从I2C上得到数据的时间有滞后吧?了解的人给解释一下吧!

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dai_weis| | 2007-1-6 21:54 | 只看该作者

flash/EEPROM需要写入时间

写保护引脚持续时间必须大于写入时间,典型的写入时间请查看数据手册

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