MOS FET如何驱动

发表于 2010-12-11 23:38

有一个MOS FET ，型号是IRF540，G接输入100K方波，D接电源，S接负载（电感和电容串联）后再接地。
请问：驱动着个MOS管需要多大的输入电流？单片机的输入能驱动这个MOS管吗？

发表于 2010-12-11 23:46

取决于速度通常100k是很低的频率直接用IO驱动是没问题的

但是要加消震电阻（电压型的不加消震电阻波形会震荡）。

如果速度快那就要用专用驱动块了

发表于 2010-12-12 01:20

回楼主：
我没有查该管资料，所以不能准确计算驱动电流。
只能估计一下：大概需要至少100到200mA峰值电流。
单片机I/O无法提供这么大电流。

发表于 2010-12-12 01:44

去查下这个MOS的开启电荷需要多少,然后去除以10us就知道至少要多少电流了

发表于 2010-12-12 01:55

除以10us是不够的。楼主已经说明，输入是100kHz方波。既然是周期10us的方波，脉冲前后沿无论如何也不能多于1us。

发表于 2010-12-12 03:28

要看楼主的应用，MOS开启时的漏极电压，IRF540的ciss,crss都不大，栅荷不高，maychang说的电流基本够了，为了兼顾EMI，很多应用里面串一两百欧栅电阻的，tr/tf不是越高越好，著名的IR21xx系列，驱动能力也就二三百mA，推ciss,crss更大，工作电压几百伏的桥，跑的很欢

发表于 2010-12-12 12:47

多谢各位。
1、消震电阻就是串接在输入信号中的电阻？
2、如此看来，需要至少100ma的驱动电流？
3、IRF540很老吗？

发表于 2010-12-12 12:58

IR2304可以驱动IRF540。大家看看这个：http://www.avrw.com/article/art_110_2503.htm

发表于 2010-12-12 13:11

有一个MOS FET ，型号是IRF540，G接输入100K方波，D接电源，S接负载（电感和电容串联）后再接地。
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最好把负载接在电源跟D极之间。

发表于 2010-12-12 13:20

最好把负载接在电源跟D极之间。
_________________________
why?

发表于 2010-12-12 13:34

11楼：
没有仔细看帖，我在3楼的回复有点问题，这个驱动电流估计值太大了。

10楼的意思，是要你接成共源极电路，这样只需要比较小的驱动电压(不过驱动电流较大)。我没有仔细看首帖，以为你是用共源极电路，所以估计驱动电流需要100～200mA。
你原来的接法，是共漏极电路，这样需要比较大的驱动电压(但驱动电流较小)，驱动电压需要比负载上电压更高。

发表于 2010-12-12 15:36

看来不管是共源还是共漏，单片机是没法了。只有选择IR2304这等专用MOS和IGBT驱动芯片了。

发表于 2010-12-12 16:34

13楼：
那种芯片不是为此设计的，在这里不能用。

发表于 2010-12-12 18:34

看来不是我一个在纠结那个场效应管的驱动问题啊！！

发表于 2010-12-12 19:20

那种芯片不是为此设计的，在这里不能用。
________________________
http://www.avrw.com/article/art_110_2503.htm
从这个里看到的应该可以嘛？

发表于 2010-12-12 19:24

17楼：
你的单片机无法驱动IRF540，IR2304就无法驱动IRF540，因为单片机电源电压5V，而IR2304要求最小电源电压10V。

发表于 2010-12-12 19:50

用一个光耦6n137不久解决了嘛？

发表于 2010-12-12 19:51

功率放大一下

发表于 2010-12-12 19:51

再说很少见到用单片机IO口直接驱动mosfet

发表于 2010-12-12 19:52

驱动功率可能不够，需要用三极管或光耦放大功率

MOS FET如何驱动

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