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为啥IGBT驱动芯片上管是三极管,下管是mos??

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zhaohe2001|  楼主 | 2010-12-13 10:30 | 只看该作者

RE: 为啥IGBT驱动芯片上管是三极管,下管是mos??

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PowerAnts| | 2010-12-13 11:00 | 只看该作者
bjt开启电压比MOS小得多

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zhaohe2001|  楼主 | 2010-12-13 11:19 | 只看该作者
那下管也用三极管呢?这样开启电压都小了!
下管用mos是不是和导通压降有关呢

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PowerAnts| | 2010-12-13 11:23 | 只看该作者
IGBT的控制对象一般是感性负载,开启时电流较小,关闭时电流较大,因此对脉冲下降沿要求比上升沿陡峭。
因此下管用MOS,单位面积的面积可允许更大的电流流过,这个属于成本对工艺的要求

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123jj| | 2010-12-13 12:44 | 只看该作者
大蚂蚁正解!

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zhaohe2001|  楼主 | 2010-12-13 12:46 | 只看该作者
开启和关闭电流的大小和负载特性有关系吗?我觉得只和栅极驱动电阻和栅极电容有关系吧。你说的电流是不是栅极驱动电流啊?

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PowerAnts| | 2010-12-13 14:29 | 只看该作者
当然有关系,切换损耗与切换电流成正比,也与切换时间成正比,电流大了就要快,电流小了就允许慢一点

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zhaohe2001|  楼主 | 2010-12-13 19:26 | 只看该作者
明白你的意思。但是感性负载在IGBT关断的时候也是要续流的,这期间电流变化并不大,当IGBT再次导通的时候,电流还是较大,这样还是需要开通快一些的。

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cgkdxx| | 2010-12-14 15:02 | 只看该作者
蚂蚁哥,大电流关得太快尖峰怎么办?

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PowerAnts| | 2010-12-14 15:23 | 只看该作者
zvszcs或RC/RCD

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cgkdxx| | 2010-12-14 17:07 | 只看该作者
RCD参数跟载波有关系的,没法确定啊

还有,ZVS如果做成受控的(由MCU发脉冲),哪里有资料?

谢谢!

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09电气| | 2010-12-14 20:13 | 只看该作者
来学习的

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PowerAnts| | 2010-12-16 08:52 | 只看该作者
R由与开关控制回路杂散参数(变压器漏感、布线电感及杂散电容、开关寄生参数等)的特性阻抗设定,C由时间常数决定

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justing88| | 2011-3-8 18:37 | 只看该作者
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