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为啥IGBT驱动芯片上管是三极管，下管是mos？？

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zhaohe2001|  楼主 | 2010-12-13 10:26 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 三极管, IGBT驱动, 驱动芯片, 驱动方式
本帖最后由 zhaohe2001 于 2010-12-13 10:42 编辑

驱动芯片内部结构中，输出口的驱动方式，为什么上下管不用成一样的？

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沙发
zhaohe2001|  楼主 | 2010-12-13 10:30 | 只看该作者

RE: 为啥IGBT驱动芯片上管是三极管，下管是mos？？

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PowerAnts| | 2010-12-13 11:00 | 只看该作者
bjt开启电压比MOS小得多

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zhaohe2001|  楼主 | 2010-12-13 11:19 | 只看该作者
那下管也用三极管呢？这样开启电压都小了！
下管用mos是不是和导通压降有关呢

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5楼
PowerAnts| | 2010-12-13 11:23 | 只看该作者
IGBT的控制对象一般是感性负载，开启时电流较小，关闭时电流较大，因此对脉冲下降沿要求比上升沿陡峭。
因此下管用MOS，单位面积的面积可允许更大的电流流过，这个属于成本对工艺的要求

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6楼
123jj| | 2010-12-13 12:44 | 只看该作者
大蚂蚁正解！

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7楼
zhaohe2001|  楼主 | 2010-12-13 12:46 | 只看该作者
开启和关闭电流的大小和负载特性有关系吗？我觉得只和栅极驱动电阻和栅极电容有关系吧。你说的电流是不是栅极驱动电流啊？

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8楼
PowerAnts| | 2010-12-13 14:29 | 只看该作者
当然有关系，切换损耗与切换电流成正比，也与切换时间成正比，电流大了就要快，电流小了就允许慢一点

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9楼
zhaohe2001|  楼主 | 2010-12-13 19:26 | 只看该作者
明白你的意思。但是感性负载在IGBT关断的时候也是要续流的，这期间电流变化并不大，当IGBT再次导通的时候，电流还是较大，这样还是需要开通快一些的。

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10楼
cgkdxx| | 2010-12-14 15:02 | 只看该作者
蚂蚁哥，大电流关得太快尖峰怎么办？

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11楼
PowerAnts| | 2010-12-14 15:23 | 只看该作者
zvszcs或RC/RCD

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12楼
cgkdxx| | 2010-12-14 17:07 | 只看该作者
RCD参数跟载波有关系的，没法确定啊

还有，ZVS如果做成受控的（由MCU发脉冲），哪里有资料？

谢谢！

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13楼
09电气| | 2010-12-14 20:13 | 只看该作者
来学习的

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14楼
PowerAnts| | 2010-12-16 08:52 | 只看该作者
R由与开关控制回路杂散参数（变压器漏感、布线电感及杂散电容、开关寄生参数等）的特性阻抗设定，C由时间常数决定

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15楼
justing88| | 2011-3-8 18:37 | 只看该作者
留个名

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