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求助800V高压6Mhz单脉冲产生电路

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楼主
24ic|  楼主 | 2010-12-15 20:15 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
最近做超声波探伤方面的一个项目,需要产生800V的单脉冲高压激发超声探头,要求激发可用单片机控制。我试着用三级管搭了一个,但是发现三极管的pnp的耐压那么大的很不好找(不能用铁冒的,最好是TO-220封装的),所以很迷茫。求思路。谢谢

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沙发
maychang| | 2010-12-15 20:24 | 只看该作者
想办法改用NPN管就是了。
要脉冲窄,考虑用MOS管。

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板凳
lhkjg| | 2010-12-16 11:12 | 只看该作者
楼上正解,窄脉冲考虑MOS管子,并且800V的管子很多,并不是你说的不好找,另外对你的超声波探伤项目非常感兴趣!

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地板
bellyworm| | 2010-12-16 12:16 | 只看该作者
MOS管在如此高压下做到6Mhz的开关,只有2楼这种天才才能做得出

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wh6ic| | 2010-12-17 14:43 | 只看该作者
做过了才知道能不能搞出来,一个今年毕业的三流学校学生经简单指点都可以用个把月做出来1000V 60nS的脉冲电路,没什么诀窍,肯做、碰到个好Boss愿意让他做,前三周就炸了一盒子的管子和其它各种元件。

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6
fzyuan| | 2010-12-17 20:51 | 只看该作者
为什么不用变压器?

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24ic|  楼主 | 2010-12-19 16:29 | 只看该作者
是这样的,就想让800V的高压加到探头上,控制N沟道的MOS管,达到8M的激发速率。

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24ic|  楼主 | 2010-12-19 16:30 | 只看该作者
呵呵,这得有人带 5# wh6ic

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9
24ic|  楼主 | 2010-12-19 16:31 | 只看该作者
现在我用N沟道MOS管,前端直接用单片机控制,5V有些低,MOS管有些开启不足。 3# lhkjg

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xwj| | 2010-12-19 16:44 | 只看该作者
超声探头有这么高的电压吗?

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24ic|  楼主 | 2010-12-19 16:59 | 只看该作者
标称是400V的,这个探头是项目方自制的,说如果不限体积,他们可以做到800V,所以激发这边也要做到800V 10# xwj

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fzyuan| | 2010-12-19 20:56 | 只看该作者
如果不管什么电压都直接用半导体驱动,可能会死的很惨。

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13
xwj| | 2010-12-19 21:02 | 只看该作者
同LS和6楼,同问

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24ic|  楼主 | 2010-12-23 09:20 | 只看该作者
现在改用mos驱动电路驱动力,现在驱动频率上去了,发现mos管又达不到速度了 12# fzyuan

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maychang| | 2010-12-23 10:20 | 只看该作者
楼主的目的是要驱动超声探头,是否一定要脉冲驱动?6楼的建议值得仔细考虑。

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16
24ic|  楼主 | 2010-12-23 11:36 | 只看该作者
项目方要求必须产生这么高频率的高压
刚研究明白怎么把图贴上来,Q9作为高压的开关,打开高压后,向电容充电。U4作为MOS管的开关,激发时,只需一个单脉冲即可。Q10导通时,激发的脉冲信号作用在探头上。 15# maychang

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24ic|  楼主 | 2010-12-23 11:39 | 只看该作者
又犯个错误,粘的图又粘错了。重新描述一下吧。+VS为高压。通过光耦进行导通和关断。
EL7104作为mos管Q5的驱动。HV接超声波探头。当激发时,MOS管DS导通,高压作用在探头上。
现在那个MOS管开关速度达不到。

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18
maychang| | 2010-12-23 11:41 | 只看该作者
U4、Q9和Q10,我都找不到。

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19
maychang| | 2010-12-23 11:43 | 只看该作者
“激发时,只需一个单脉冲即可”
一个单脉冲,与6MHz有什么关系?

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20
pengjianxue| | 2010-12-23 11:47 | 只看该作者
1,MOS开关断开电容与电感连接,接通电源对电容充电,

2,MOS开关断开电容与电源连接,接通电电容与电感连接,电感电容高频衰减振荡,

3,用高频变压器升压

4,振荡频率由电感,变压器漏感,电容决定

5,当衰减结束,重复1-2



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