30T113D是基于自激多谐振荡器的不稳定性作为物理噪声源，同时用外部时钟对不稳定的自激多谐振荡器采样，再经过线性反馈移位寄存器对信号进行处理，从而输出性能良好的真随机数芯片。 | |
| | 工作电压： 2.7V ～ 5.5V 直流电压
采样频率：≤ 1MHz
芯片休眠时的电源电流： I<50uA
动态特性：
• CLK 到 DATA 的传输延时：≤ 15 ns
• DATA 的输出转换时间：≤ 20 ns
• 输出允许时间 ：≤ 10 ns
• 输出禁止时间 ：≤ 10 ns
工作温度范围： -40 ～ + 85 ℃
存储温度范围： -65 ～ + 150 ℃
工作电流：动态 I ≤ 1mA
封装形式： DIP8 |
| | | | | | | | 休眠控制信号。低电平芯片休眠，高电平或悬空时芯片内振荡器起正常工作 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | DATA 输出使能信号。低电平有效，内带上拉电阻。在不使用高阻功能时，可将 OE 接地。 | | | | | | | | |
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010--51663026 WNG4 WNG5 WNG6 WNG8 SSX26 
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