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MOSFET封装与电流的问题

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帝霸|  楼主 | 2010-12-19 18:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电流, MOSFET, 封装, 电路, 直流电机
最近有个项目要用到P型MOSFET做负载开关，负载（无刷直流电机）电压是24V的，正常工作时电流在0.5~2A，用5V单片机驱动。找了半天，发现用P+N组合的管子比较方便，但是贴片型的封装比较大的是SO-8的，感觉SO-8的管脚还是有点小，不知道长期驱动2A的电流会不会发热比较厉害。

好久没有做模拟方面的电路了，当菜鸟向大家请教一下，用SO-8的P+N Complementary的MOSFET驱动2A的电路，长期使用有没有发热的问题。

我初步打算选用Fairchild的FDS4559，Alpha&Omega的AO4611,AO4612等

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沙发
OverLook| | 2010-12-19 18:08 | 只看该作者
;P

“ 当菜鸟向大家请教一下 ”

呵呵，不谦虚。

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板凳
OverLook| | 2010-12-19 18:12 | 只看该作者
王老 帮俺去看看俺的问题贴。

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地板
OverLook| | 2010-12-19 18:16 | 只看该作者
我没太明白

怎么说的对了？ 怎么修改电路？

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5楼
帝霸|  楼主 | 2010-12-19 18:24 | 只看该作者
老王，你说的开关状态没有问题，有点模糊。
因为P+N的MOS管可以做负载开关，也可以做H桥。你说的开关状态是指恒定的开或者关两种状态呢，还是指开关电源电路中的MOS关在一定频率下的开关动作这种状态呢？

我平时喜欢放一点余量，看到SO-8的管脚，总感觉很细，还是有点担心走2A的电流会发热，呵呵。

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6楼
bbyeah| | 2010-12-20 03:05 | 只看该作者
引脚没问题，要担心的是MOS本身的功耗
内部能负载这个电流，厂家是不会做低一个级别的封装的

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7楼
帝霸|  楼主 | 2010-12-20 09:25 | 只看该作者
引脚没问题，要担心的是MOS本身的功耗
内部能负载这个电流，厂家是不会做低一个级别的封装的
bbyeah 发表于 2010-12-20 03:05


哦，那还好，我仅用P部分来做单纯的负载开关，只有导通损耗。Vgs=12v左右，因此，压降很小。

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8楼
chunyang| | 2010-12-20 16:33 | 只看该作者
管脚的载流能力是没问题的，但要注意导通程度，免得过热。

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9楼
XIEYUANBIN| | 2010-12-20 18:08 | 只看该作者
电压用24V，驱动用5V？如果没有其他的电平变换电路，只怕你的P MOS一直开的。

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10楼
帝霸|  楼主 | 2010-12-20 19:22 | 只看该作者
11# XIEYUANBIN

我用单片机驱动N管然后接P管G级，当然用电阻分了一下压，防止P管Vgs超过20v

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