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国产Coolmos?

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楼主
本帖最后由 boboants2010 于 2010-12-23 14:58 编辑

近日收到几个据说是国产的CoolMOS,因为设备有限仅,仅做了2项内容的测试,一项是RDS,和规格书上相差无几都为150mΩ上下(25°C,ID=10A,Ugs=12V。规格书标190mΩ);一项是栅极输入特性直接上机看他的G极波形(250W半桥式镇流器;1uS 5v/格)
据厂家说是想PK英飞凌的C3的意思。真是不试不知道,一试吓一跳
NCE20N50T data sheet

相关帖子

来自 2楼
PowerAnts| | 2010-12-21 11:55 | 只看该作者
下面这个是雪崩管的特性,MOS也要降一个数量级

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板凳
PowerAnts| | 2010-12-21 11:42 | 只看该作者
这份datasheet, 尽显国人浮夸之能。先备份一下楼主的datasheet

NCE20N50T data sheet.pdf (505.66 KB)

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地板
PowerAnts| | 2010-12-21 11:53 | 只看该作者
本份些吧,这个是BJT的特性,MOS嘛至少降一个数量级

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PowerAnts| | 2010-12-21 12:13 | 只看该作者
另外,标称25度,10A的RDS=155mohm,那么1A下测试要小于130mohm才合格。

英飞凌的器件,100mohm的实测才七八十,凭这一点谨慎,国人就学不会

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boboants2010|  楼主 | 2010-12-21 16:13 | 只看该作者
用的技术和infineon的不一样,COOLMOS只是Infineon的注册商标,其实只是一种超结MOSFET。Fairchild,STM,Toshiba都有自己的超结MOSFET,我所做的也是一种超结mosfet,只不过COOLMOS最有名,所以目前大家都管超结MOSFET叫coolmos了。

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7
boboants2010|  楼主 | 2010-12-21 16:18 | 只看该作者
单从芯片上来看,由与采用了特殊技术,主要优点有:

1.超结mosfet的导通电阻仅相当与相同电压电流规格的常规MOSFET的50%左右,因此导通损耗低,发热小,效率高;

2.相同电流电压规格情况下,超结mosfet的芯片面积会会比常规的mosfet小接近50%,因此Qg要小,开关速度快,开关损耗小;

3.由于超结MOSFET芯片面积小,相同电流级别的产品可以使用更小的封装,比如:20A 600V的常规mosfet一般只能封装在T0247或T0-3P的封装里,而超结MOSFET可以封装在TO-220的封装中,可以有效缩小产品体积

4.由于芯片工艺过程良率限制和封装体积限制,超结MOSFET可以把电流做的比较大,47A ,52A等,常规MOSFET很难实现。

主要优点差不多就这么多,主要缺点是:

1 .由于管芯面积小,超结MOSFET的Eas会比常规的MOSFET略差,在有较大感性负载的电路中的耐冲击能力比常规MOSFET略弱;

2.价格会比常规的MOSFET略贵 20%~50%;

临时总结了这么多,不知道全不全,欢迎高手补充。

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8
Siderlee| | 2010-12-21 17:48 | 只看该作者
:(

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9
maychang| | 2010-12-21 18:05 | 只看该作者
楼主嘴够硬的。

你的前两帖,因涉嫌广告,我已经转走了。此帖没有联系方式和地址,故而保留。
推销管子,也不能这么忽悠。

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PowerAnts| | 2010-12-21 22:29 | 只看该作者
众所周知,超结是西门子的专利,而西门子把功率器件独立为英飞凌,IR也好,仙童也好,都要向英飞凌买专利的,不知楼主买了没有?

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PowerAnts| | 2010-12-21 22:31 | 只看该作者
英飞凌和仙童半导体结束专利争端

  北京时间12月30日午间消息 英飞凌科技周二宣布,公司与仙童半导体(Fairchild Semiconductor International Inc,FCS)之间的专利侵权诉讼已达成和解,双方签署了一项交叉许可协议。

  2008年11月,仙童半导体和英飞凌在缅因州和特拉华州法院互相起诉,本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管等有关的14项专利。

  仙童半导体在周二亦宣布,将在第四财季计入和解金及交叉授权相关费用600万美元。

  两家公司将通知美国特拉华州地方法院,双方已经达成和解,并将申请撤诉。

  英飞凌目前正与多家半导体公司进行专利许可谈判。英飞凌认为,这些谈判对持续保护其知识产权和商业利益至关重要。

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maychang| | 2010-12-21 23:13 | 只看该作者
此帖需要置顶,说得太清楚了。

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boboants2010|  楼主 | 2010-12-22 09:35 | 只看该作者
额,也许你比我了解MOS,但你不一定比我了解COOLMOS,呵呵,这几家的超结MOSFET实现方式是有差别的。呵呵 当然不是和他们最新一代比,C6我还没拿到呢 ,我目前是和C3或MDmesh2比的,而且我们不是用离子注入实现的超结结构。
:loveliness:这颗料在37寸LCD电源设配器上已经通过啦!比之SPP20N60C3,效率上低0.5点,温度高2度不到。客户认同。。。。说的事实,也有试样报告。下次贴上来参考下。光说不练,假把式。

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PowerAnts| | 2010-12-22 10:07 | 只看该作者
对你们的coolMOS很感兴趣,可否提供10颗试用?付费,不白要

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15
PowerAnts| | 2010-12-22 10:19 | 只看该作者
另外有两个问题不解,请赐教:

1,你们超结MOS体二极管的硬恢复是如何解决?大致提一下就行。

2,非离子注入法生产超结结构,为达到较高的深宽比,工艺要求极高,这是超结工艺的重大突破。这个工艺是否申请专利了?

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IT-长老| | 2010-12-22 13:31 | 只看该作者
支持国货,但要诚信?:)

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tes| | 2010-12-22 15:05 | 只看该作者
俺也想了解这个寄生体二极管的反向恢复特性, 请楼主提供数据.

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18
zqingli| | 2010-12-22 16:52 | 只看该作者
这哥们,你有没有看过别人的datasheet啊,提示你一下,注意测试时的Vds;
自己去看infineon和fairchild的datasheet吧,这是一个很平常的数值;

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19
zqingli| | 2010-12-22 16:54 | 只看该作者
下面这个是雪崩管的特性,MOS也要降一个数量级

47522
PowerAnts 发表于 2010-12-21 11:55


帅哥,dv/dt分为寄生二极管的dv/dt和MOS管的dv/dt,这个datasheet上注明了是MOS管的,这也是一个正常的数值,你可以参考一下别家的datasheet;

没有我可以帮你下一份

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20
zqingli| | 2010-12-22 16:57 | 只看该作者
另外,标称25度,10A的RDS=155mohm,那么1A下测试要小于130mohm才合格。

英飞凌的器件,100mohm的实测才七八十,凭这一点谨慎,国人就学不会
PowerAnts 发表于 2010-12-21 12:13


你是想说器件余量是吧,人家都说是190毫欧的标称,155毫欧的实测了,你还要留多大余量啊,你有没有实测过这个规格的管子啊。。。。。。:L

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个人签名:顾生,15961834960,专做功率MOS管、IGBT、肖特基、超结SJ-MOSFET、射频MOSFET、功率集成电路

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