国产Coolmos？

发表于 2010-12-21 11:30

本帖最后由 boboants2010 于 2010-12-23 14:58 编辑

近日收到几个据说是国产的CoolMOS，因为设备有限仅，仅做了2项内容的测试，一项是RDS，和规格书上相差无几都为150mΩ上下（25°C，ID=10A,Ugs=12V。规格书标190mΩ）；一项是栅极输入特性直接上机看他的G极波形（250W半桥式镇流器;1uS 5v/格)
据厂家说是想PK英飞凌的C3的意思。真是不试不知道，一试吓一跳

NCE20N50T data sheet

登录 · 发表于 2010-12-21 11:55

下面这个是雪崩管的特性，MOS也要降一个数量级

登录 · 发表于 2010-12-21 11:42

这份datasheet, 尽显国人浮夸之能。先备份一下楼主的datasheet

登录 · 发表于 2010-12-21 11:53

本份些吧，这个是BJT的特性，MOS嘛至少降一个数量级

发表于 2010-12-21 12:13

另外，标称25度，10A的RDS=155mohm，那么1A下测试要小于130mohm才合格。

英飞凌的器件，100mohm的实测才七八十，凭这一点谨慎，国人就学不会

发表于 2010-12-21 16:13

用的技术和infineon的不一样，COOLMOS只是Infineon的注册商标，其实只是一种超结MOSFET。Fairchild，STM，Toshiba都有自己的超结MOSFET，我所做的也是一种超结mosfet，只不过COOLMOS最有名，所以目前大家都管超结MOSFET叫coolmos了。

发表于 2010-12-21 16:18

单从芯片上来看，由与采用了特殊技术，主要优点有：

1.超结mosfet的导通电阻仅相当与相同电压电流规格的常规MOSFET的50%左右，因此导通损耗低，发热小，效率高；

2.相同电流电压规格情况下，超结mosfet的芯片面积会会比常规的mosfet小接近50%，因此Qg要小，开关速度快，开关损耗小；

3.由于超结MOSFET芯片面积小，相同电流级别的产品可以使用更小的封装，比如：20A 600V的常规mosfet一般只能封装在T0247或T0-3P的封装里，而超结MOSFET可以封装在TO-220的封装中，可以有效缩小产品体积

4.由于芯片工艺过程良率限制和封装体积限制，超结MOSFET可以把电流做的比较大，47A ，52A等，常规MOSFET很难实现。

主要优点差不多就这么多，主要缺点是：

1 .由于管芯面积小，超结MOSFET的Eas会比常规的MOSFET略差，在有较大感性负载的电路中的耐冲击能力比常规MOSFET略弱；

2.价格会比常规的MOSFET略贵 20%～50%；

临时总结了这么多，不知道全不全，欢迎高手补充。

发表于 2010-12-21 17:48

发表于 2010-12-21 18:05

楼主嘴够硬的。

你的前两帖，因涉嫌广告，我已经转走了。此帖没有联系方式和地址，故而保留。
推销管子，也不能这么忽悠。

发表于 2010-12-21 22:29

众所周知，超结是西门子的专利，而西门子把功率器件独立为英飞凌，IR也好，仙童也好，都要向英飞凌买专利的，不知楼主买了没有？

发表于 2010-12-21 22:31

英飞凌和仙童半导体结束专利争端

　　北京时间12月30日午间消息　英飞凌科技周二宣布，公司与仙童半导体（Fairchild Semiconductor International Inc，FCS）之间的专利侵权诉讼已达成和解，双方签署了一项交叉许可协议。

　　2008年11月，仙童半导体和英飞凌在缅因州和特拉华州法院互相起诉，本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管等有关的14项专利。

　　仙童半导体在周二亦宣布，将在第四财季计入和解金及交叉授权相关费用600万美元。

　　两家公司将通知美国特拉华州地方法院，双方已经达成和解，并将申请撤诉。

　　英飞凌目前正与多家半导体公司进行专利许可谈判。英飞凌认为，这些谈判对持续保护其知识产权和商业利益至关重要。

发表于 2010-12-21 23:13

此帖需要置顶，说得太清楚了。

发表于 2010-12-22 09:35

额，也许你比我了解MOS，但你不一定比我了解COOLMOS，呵呵，这几家的超结MOSFET实现方式是有差别的。呵呵当然不是和他们最新一代比，C6我还没拿到呢，我目前是和C3或MDmesh2比的，而且我们不是用离子注入实现的超结结构。
:loveliness:这颗料在37寸LCD电源设配器上已经通过啦！比之SPP20N60C3，效率上低0.5点，温度高2度不到。客户认同。。。。说的事实，也有试样报告。下次贴上来参考下。光说不练，假把式。

发表于 2010-12-22 10:07

对你们的coolMOS很感兴趣，可否提供10颗试用？付费，不白要

发表于 2010-12-22 10:19

另外有两个问题不解，请赐教：

1，你们超结MOS体二极管的硬恢复是如何解决？大致提一下就行。

2，非离子注入法生产超结结构，为达到较高的深宽比，工艺要求极高，这是超结工艺的重大突破。这个工艺是否申请专利了？

发表于 2010-12-22 13:31

支持国货，但要诚信？:)

发表于 2010-12-22 15:05

俺也想了解这个寄生体二极管的反向恢复特性, 请楼主提供数据.

发表于 2010-12-22 16:52

这哥们，你有没有看过别人的datasheet啊，提示你一下，注意测试时的Vds；
自己去看infineon和fairchild的datasheet吧，这是一个很平常的数值；

发表于 2010-12-22 16:54

下面这个是雪崩管的特性，MOS也要降一个数量级

47522
PowerAnts 发表于 2010-12-21 11:55

帅哥，dv/dt分为寄生二极管的dv/dt和MOS管的dv/dt，这个datasheet上注明了是MOS管的，这也是一个正常的数值，你可以参考一下别家的datasheet；

没有我可以帮你下一份

发表于 2010-12-22 16:57

另外，标称25度，10A的RDS=155mohm，那么1A下测试要小于130mohm才合格。

英飞凌的器件，100mohm的实测才七八十，凭这一点谨慎，国人就学不会
PowerAnts 发表于 2010-12-21 12:13

你是想说器件余量是吧，人家都说是190毫欧的标称，155毫欧的实测了，你还要留多大余量啊，你有没有实测过这个规格的管子啊。。。。。。:L

国产Coolmos？

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