MOS管做开关是否可以直接驱动G极

只看该作者 · 2010-12-30 21:51

大侠们，帮我看看，Q1 和 Q2 两个MOS管都是控制通路关断与导通的，第一个Q1通过两个三极管来控制的，第二个Q2就是直接接在单片机的IO口上，这样可以不？可以直接用IO口来控制MOS管的G极来实现关断与否不？我觉得这样简单些

只看该作者 · 2010-12-30 22:00

如果单片机的VOH，VOL能满足P MOS的VGS要求，应当可以的。以前我也用过这种简单的电源控制电路，没问题的。

3万 · 2010-12-30 22:05

楼主需要注意图中电池电压是多少。

只看该作者 · 2010-12-30 22:13

2楼所说的VOH VOL 是指单片机Vout 的高和低吧，我用的MCU用义隆的EMP78P372

对3楼说的电池电压是 3.3-4.2V 。

如果可以用单片机的IO口来控制P-MOS管导通与关断，我就可以把前面两个三极管省掉了。

2万 · 2010-12-30 23:17

如果单片机供电比USB的5V低的话不行。

2万 · 2010-12-31 04:26

同意5楼意见，如果Q2的Vth小于锂电池最高电压减单片机IO高电平电压，则Q2关不掉，例：电池充满后是4.2V, IO的高电平3.3V的话，Q2的最小Vgs为0.9V, 足已开启绝大多数的小功率P-MOS

只看该作者 · 2010-12-31 23:06

现在单片机直接用电池供电，所以单片机的IO口输出的电压就等于电池电压，我准备把Q2加一个上拉电阻，平时都是关断状态，要打开的时候，输出一个低电平来使MOS管导通。

只看该作者 · 2010-12-31 23:48

应该不行，连接MOS的2N3904导通后 BE结会钳位，使控制失效

只看该作者 · 2011-1-1 22:25

我现在用上来电阻的形式

只看该作者 · 2011-1-11 21:11

这个上拉我测试了，如果电组取100K ，是上拉不了，如果换成1K ，就可以了，这是为什么呢

3万 · 2011-1-11 22:42

10楼：
你开关这支P-MOS管的频率是多少？开关太快了是不行的。
MOS管输入具有很大的电容。

只看该作者 · 2011-1-12 21:31

P-MOS是AO3415 , 会跟这个有关系吗

1万 · 2011-1-12 22:00

10楼：
你开关这支P-MOS管的频率是多少？开关太快了是不行的。
MOS管输入具有很大的电容。
maychang 发表于 2011-1-11 22:42

如今的coolmos结电容可以做的很小了。

2万 · 2011-1-12 22:02

AO3415不是coolmos吧，三版这是**蛋里挑骨头，哈

MOS管做开关 是否可以直接驱动G极