请问掉电时RAM数据保存与恢复，C语言如何写

只看该作者 · 2011-1-8 14:58

如何掉电时保存RAM数据到类EEPROM，上电后根据情况重新写入RAM

本帖最后由 hggen 于 2011-1-8 13:32 编辑

设计一款外贸产品，本来是用166芯片掉电模式，但是由于该芯片功耗较大，只能支持15秒左右，外贸产品，对掉电时间有要求，需要7分钟以上，于是外置了电容电路，根据重新上电电容残留电量检测AD值判断掉电时间，当在掉电时间内，重新恢复到原先状态

当检测不到几个过零点后，判断出掉电，迅速把RAM数据保存在类EEPROM里
以下是部分程序，就是不知道这个保存和重新写回怎么操作，望高手解答

/*---------------------------------------------------------------------------
;EraseFlash
;erase the whole sector of Flash ROM
;--------------------------------------------------------------------------*/
      EA = 0;             //step 1 ,关闭中断
      FLASHCON |=0x01;       //选择类EEPROM

      XPAGE       = 0x03;       //step 2 ,设置擦除的扇区3

      IB_CON1       = 0xE6;       //step 3,设置擦除操作
      IB_CON2       = 0x05;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON3       = 0x0A;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON4       = 0x09;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON5       = 0x06;       //时序的要求，固定不变

      _nop_();             //step 4,进入擦除状态
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
      //---------------------------------------

      XPAGE       = 0x00;       //step 7,清零页寄存器
      FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
      EA = 1;                      //恢复中断
/*---------------------------------------------------------------------
;write EEPROM
;----------------------------------------------------------------------*/
      EA = 0;                      //step 1 ,关闭中断
      FLASHCON |=0x01;       //选择类EEPROM

      XPAGE       = 0x03;       //step 2 ,设置写的扇区3
      IB_OFFSET= 0x00;       //设置写的地址，范围00-255

      // IB_DATA       = 0x88;       //step 3，设置写的数据

        这里要写RAM到EEPROM 请问怎么写

            IB_CON1       = 0x6E;       //step 4,设置写操作
      IB_CON2       = 0x05;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON3       = 0x0A;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON4       = 0x09;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON5       = 0x06;       //时序的要求，固定不变

      _nop_();             //step 5,进入写状态
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
      //---------------------------------------

      XPAGE       = 0x00;       //step 8,清零页寄存器
      FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
      EA = 1;                      //恢复中断

/*---------------------------------------------------------------
;read EEPROM mode1 读类EEPROM方法
;-----------------------------------------------------------------*/
这里要恢复RAM，怎么写

只看该作者 · 2011-1-10 09:14

本帖最后由 bananarer 于 2011-1-11 08:46 编辑

unsigned char i;
      XPAGE       = 0x03;       //step 2 ,设置写的扇区3
      IB_OFFSET= 0x00;       //设置写的地址，范围00-255
      //假设你的ram是一个数组，temp[6]
      for(i=0;i<6;i++)
{
      IB_DATA = temp[ i ];//
      // IB_DATA       = 0x88;       //step 3，设置写的数据

      // 这里要写RAM到EEPROM 请问怎么写

            IB_CON1       = 0x6E;       //step 4,设置写操作
      IB_CON2       = 0x05;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON3       = 0x0A;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON4       = 0x09;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON5       = 0x06;       //时序的要求，固定不变

      _nop_();             //step 5,进入写状态
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
      //---------------------------------------
   IB_OFFSET++;
   }
      XPAGE       = 0x00;       //step 8,清零页寄存器
      FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
      EA = 1;                      //恢复中断

只看该作者 · 2011-1-10 09:14

//恢复ram 到temp[6]
FLASHCON = 1;
for(i=0;i<6;i++)
{
temp[ i ] = XBYTE[768+i]; // 在eeprom的 page3;
}
FLASHCON = 0;

只看该作者 · 2011-1-10 09:25

本帖最后由 bananarer 于 2011-1-10 09:34 编辑

由于你的程序里面有擦除，写入指令，在极端情况下（强干扰或者手摸晶振）搞不好会程序跑飞掉，将code擦除，可以在程序内部增加一个判断寄存器，判断程序是否正常进入了烧写或者擦除子程序。并且最好将LVR打开。
例如附件的例子所示。

ssp.rar (571 Bytes)

只看该作者 · 2011-1-10 20:34

谢谢楼上的朋友，程序我慢慢去看下，但是如果不是数组，是很多变量，把128byte的ram空间几乎用完了，怎么简单设置全部读取，保存呢

只看该作者 · 2011-1-11 08:46

只能一个一个写入了，没有什么办法了。可以使用XDATA

请问掉电时RAM数据保存与恢复，C语言如何写

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