mosfet驱动问题

[复制链接]
3386|9
 楼主| iiccee521 发表于 2011-1-9 19:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
附件里有我设计的部分原理图,里面介绍了我用FAN 73711驱动FAN10N60C mosfet遇到的问题,一直困惑了好长时间了。希望,有这方面的工程师给指出问题的所在。或者介绍一个mosfet的驱动电路,不胜感激!QQ:656851518 邮件:iiccee521@163.com 谢谢

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
伟林电源 发表于 2011-1-9 20:50 | 显示全部楼层
核对一下资料吧。

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
 楼主| iiccee521 发表于 2011-1-10 08:40 | 显示全部楼层
谢谢2楼的资料,资料我有的,我第一次是按资料的参考电路来做的,但是不行,不知道是我不是我二极管搞错了,我用的Fr 107,看这个好像要使用超快恢复二极管? 2# 伟林电源
PowerAnts 发表于 2011-1-10 08:43 | 显示全部楼层
先把电路整对再说,BUCK必须要有一个电感,fr107的速度是300nS,肯定不行
伟林电源 发表于 2011-1-10 15:46 | 显示全部楼层

核对一下图吧,二极管建议使用恢复时间快的肖特基,起电压电流也需要考虑。

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
PowerAnts 发表于 2011-1-10 16:17 | 显示全部楼层
肖特基没有恢复时间
伟林电源 发表于 2011-1-10 18:27 | 显示全部楼层
理论上如此而已。
PowerAnts 发表于 2011-1-10 19:53 | 显示全部楼层
不是理论,是真实
PowerAnts 发表于 2011-1-10 20:01 | 显示全部楼层
SBD是N型半导体与金属结合而成,不是PN结,不依靠少数载流子导电,恢复时间就是电子在结合面的热运动需要的时间,电子的热运动速度是10^5米/秒,而结合面的距离为零,时间也就为零了。
PowerAnts 发表于 2011-1-10 20:02 | 显示全部楼层
仪器可以测出一个几nS至十几nS的值,那个是结电容的充放电时间,SBD的结电容比较大
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

个人签名:有些人,有些事,一转身就是一辈子

86

主题

128

帖子

0

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部