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请问三极管电流IB的形成原因

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楼主
qqddg|  楼主 | 2007-2-26 20:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
mohanwei| | 2007-2-26 22:32 | 只看该作者

还是看书好,一遍不行再看两遍,三遍……

很多东西三言两语实在难以解释清楚啊。

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板凳
smileage| | 2007-2-27 18:39 | 只看该作者

我的理解

1、电子从基极跑出,必定会产生相应的空穴;基极的另一部分空穴由ICBO产生。

2、二极管导通情况是外电场削弱了内电场,使耗尽层变薄,从而使扩散作用加剧。因为电源可以不断地补充电子,所以扩散作用持续进行,形成正向电流。在此期间,扩散作用和复合作用都是在进行。

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地板
qqddg|  楼主 | 2007-2-27 20:25 | 只看该作者

to smileage:

1.为什么基区要空穴才产生电流呢? 为什么基区不能像集电极那样形成电流呢?

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zmmhmily| | 2007-2-28 08:35 | 只看该作者

参考

基区做的很薄,便于电子通过,发射极渗杂浓度很高,便于发射电子,集电极面积最大,便于吸收电子.

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6
sheepyang| | 2007-2-28 11:11 | 只看该作者

发射极的浓度高

发射区的浓度高,基本是基区的100倍左右。所以空穴在发射区的浓度很低,虽然有扩散电流,但是不足以影响正常情况下的三极管状态,如果集电极电流小,这部分的影响就大了,会导致电流放大倍数下降。

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7
qqddg|  楼主 | 2007-2-28 13:56 | 只看该作者

说错了,是为什么基区不能像集电极那样形成电流呢?

说错了,是为什么基区不能像集电极那样形成电流呢?

为什么IB不能是复合电流加扩散电流呢?

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8
computer00| | 2007-2-28 15:04 | 只看该作者

因为CE结之间的电压高,基区又很薄

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9
qqddg|  楼主 | 2007-3-1 18:31 | 只看该作者

TO computer00:

TO computer00:
集电极形成电流是从基区扩散过来的电子吧,

而基区电流是发射极过来被基区复合形成的电流吧

我想问:基区电流IB除了复合所形成电流外,为什么没有另外的从发射极来的电流呢?
 

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10
computer00| | 2007-3-1 21:55 | 只看该作者

复合的电流就是从发射极来的电流,是发射极电流的一部分

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11
qqddg|  楼主 | 2007-3-1 23:16 | 只看该作者

TO computer00:

复合电流是从发射极来的,但组成IB的成份为什么不能有扩散到集电极的成份呢?什么原因IB只有复合电流呢?UBE没有能力把流去IC的电子抢一点过来吗?

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12
computer00| | 2007-3-2 00:02 | 只看该作者

晕菜了,就是因为抢了一些过来,才形成了Ib啊。这个就是复

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13
qqddg|  楼主 | 2007-3-2 02:13 | 只看该作者

TO computer00:

IB是因要满足基区的电中性才形成的吧,

我指的抢是指没有复合的电子,

IC形成是因为UCE电场的吸引吧

那么UBE同样在基区有电场,那为什么不能吸引没复合那部分电子呢?(我不知讲明白没)

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14
computer00| | 2007-3-2 09:34 | 只看该作者

就是因为能吸引啊。吸引过去就复合了,形成了Ib。

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15
qqddg|  楼主 | 2007-3-2 14:13 | 只看该作者

TO computer00:

你说的我明白,吸引过去然后被复合,

但我们一直说的是要电子还没到达B极就全被复合,这产生IB

有没有电子没复合完就到达B极的情况呢?就是l<<ln的情况(ln指扩散长度)

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16
computer00| | 2007-3-2 14:33 | 只看该作者

复合不复合又有什么所谓?

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17
qqddg|  楼主 | 2007-3-2 16:06 | 只看该作者

TO computer00:

想问一下二极管工作原理

从N区流到P区的电子,一部分被复合,如果l<<lp,那么还有没复合的那部分电子是不是流到电源了?

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18
computer00| | 2007-3-2 16:41 | 只看该作者

没研究过这个东东。我只知道流进去多少,就会流出来多少

至于某某电子复合了,某某电子又分离了,我不管。

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19
qqddg|  楼主 | 2007-3-2 17:19 | 只看该作者

哦,谢谢你

哦,谢谢你

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20
杨真人| | 2007-3-3 11:41 | 只看该作者

三极管与二极管半桥的区别。

研究一下。

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