信号通过慢速光耦接芯片CLK端, 波形上升沿出现震荡的问题

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 楼主| 云端123 发表于 2011-1-10 16:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 云端123 于 2011-1-10 16:44 编辑

系统VCCVcc1为两个隔离电源。 单片机由VCC供电,型号为AVR MEGA164 单片机通过74HC165(并口转串口芯片)读取拨码开关BM1,2的状态。 通过光耦隔离。

当选用TPL521慢速光耦的时候,74HC165OUT输出不正常。PL,CLK的波形正常。后用示波器观察波形,发现CLK处的波形在第一个脉冲的上升沿有震荡。 在这个震荡处(应该是芯片识别到高电平的时刻),165认为是CLK脉冲,导致了出错。

而选用6N135快速光耦时,则没有这种现象。

问题 这个震荡是怎么造成的?
        芯片状态转换的时候,需要一个大电流吗?单片机芯片又低到高的时刻,能提供这个大电流吗?
        是不是只有加一个施密特反相器解决呢?


       电路中,所有的CLK引脚是不是都要考虑这个问题?以前从来都没有考虑过。  汗!

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mmax 发表于 2011-1-10 17:59 | 显示全部楼层
加施密特能解决这个问题
你VCC几V,如果是5V,你CPU的IO能驱动2mA电流吗?
这个问题的原因:对比高速和普通光耦,区别在副边的三极管那。但通观你的电路,不应该有这样的干扰。

你走线远吗?
mmax 发表于 2011-1-10 18:05 | 显示全部楼层
你Vcc1的去耦加的充分不?
是不是光耦沿接到165,在165翻转的时刻,Vcc1因为没有作去耦被拉下来一些,进而影响到光耦副边的输出,使输出拉低,这样就震荡几下。

高速光耦因为光耦输出结构不一样,基本上受Vcc1影响小。
 楼主| 云端123 发表于 2011-1-10 18:50 | 显示全部楼层
单片机I/O吸收 几个毫安的电流没有问题。

走线也不远。

如果是你说的去耦问题,那么,HC165反转的时候,需要这么大的电流 进而影响到电源的波动?
chunyang 发表于 2011-1-10 23:11 | 显示全部楼层
驱动不足,减小LED侧的限流电阻阻值。
shgxx015 发表于 2011-1-11 08:33 | 显示全部楼层
错了,是CLK的时隙太接近光耦合管的 :上升时间与保持时间了
hq_y 发表于 2011-1-11 08:54 | 显示全部楼层
不是减小限流电阻,就是加大上拉电阻,试试就知道了。实在不行,上示波器观察。
zjswuyunbo 发表于 2011-1-11 13:58 | 显示全部楼层
clk加个小电容,不行么?
jijianjun8111 发表于 2012-3-17 15:28 | 显示全部楼层
我也遇到同样的问题
zjp8683463 发表于 2012-3-17 16:52 | 显示全部楼层
估计是光耦的CTR不够.试试加大驱动电流
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