关于mos管GS两极之间并联电路的问题

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 楼主| feighh 发表于 2011-1-12 10:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
今天看到一电路图,发现mos管GS端并联了一个10k电阻,查了下大概是如下叙述:
1. 防静电损坏MOS(看到个理由是这么说的:由于结电容比较小根据公式U=Q/C,所以较小的Q也会导致较大的电压,导致mos管坏掉)
2.提供固定偏置,在前级电路开路时,这个较小的电阻可以保证MOS有效的关断(理由:G极开路,当电压加在DS端时候,会对Cgd充电,导致G极电压升高,不能有效关断)
3.下面还有就是对电阻大小的解释,如果太小了,驱动电流就会大,驱动功率增加;如果太大,MOS的关断时间会增大;
我的疑问是:
1.上面三点说的都正确吗?理由解释的正确与否;
2.如果理由正确的话,为什么2中对Cgd充电,G极电压升高,而不是顺便对Cgs充电;
3.如果3中电阻太大,mos管关断时间会增大的解释正确的话,那么如果这个并联电阻不加的话,那关断时候的电荷怎么泄放,MOS的关断时间不是很长了?
zjswuyunbo 发表于 2011-1-12 11:12 | 显示全部楼层
所以这个电阻最好要加。
maychang 发表于 2011-1-12 11:43 | 显示全部楼层
电阻阻值10kohm,只有装配时防静电作用。
这么大阻值,已经无法使MOS管迅速关断。

如果没有这个电阻,驱动MOS管必须用图腾柱电路。
 楼主| feighh 发表于 2011-1-12 11:53 | 显示全部楼层
3# maychang
意思是说 没有这个电阻,又不用你说的图腾柱式电路的话,相当于泄放电阻就是GS之间电阻,RGS很大,相当于无法泄放
maychang 发表于 2011-1-12 11:57 | 显示全部楼层
4楼:
就是这么回事。
 楼主| feighh 发表于 2011-1-12 13:11 | 显示全部楼层
5# maychang
有些驱动电路门极驱动输出加个串联电阻,大概10欧左右,这个也是拿来泄放的吗?
maychang 发表于 2011-1-12 13:21 | 显示全部楼层
6楼:
不是。
串联一个小电阻,目的是防止可能产生的寄生振荡。
mmax 发表于 2011-1-12 13:22 | 显示全部楼层
并10K电阻主要是保证MOS可靠关断的。
即你说的第二点。
lyjian 发表于 2011-1-12 15:29 | 显示全部楼层
建议楼主和maychang看看LD7575的规格书及ST的UC3842应用笔记中的描述,上面有为什么要加这个电阻有很详细地描述。
加这个电阻并不是像maychang说的那样“只有装配时防静电作用”。
lyjian 发表于 2011-1-12 15:40 | 显示全部楼层
加这个电阻对装配时防静电起不到什么作用,因为只有在插件和焊接后电阻才有涉放作用,其他时候都是没用的,而静电损坏主要是在插件的过程中手接触到MOS管时发生的。所以生产线装配时防静电靠的是手上戴着的防静电手环而不是这个电阻。
wangjun403 发表于 2011-1-12 20:03 | 显示全部楼层
 楼主| feighh 发表于 2011-1-17 09:05 | 显示全部楼层
9# lyjian
努力的去看看
 楼主| feighh 发表于 2011-1-17 09:21 | 显示全部楼层
9# lyjian
LD7575的pdf上看到了 应该是防止MOSFET的不正常工作状态和误触发用的,应该是我说的第二条差不多;
 楼主| feighh 发表于 2011-1-17 09:30 | 显示全部楼层
我把那段话摘抄下吧:
Pull-Low Resistor on the Gate Pin of MOSFET
in LD7575,an anti-floating resistor is implemented on the OUT pin to prevent the output from any uncertain state which may causes the MOSFET working abnormally or false triggered-on. However, such design won't cover the condition of disconnection of gate resistor Rg thus it is still strongly recommended to have a resistor connected on MOSFET gate terrminal to provide extra protection for fault condition.
 楼主| feighh 发表于 2011-1-17 09:32 | 显示全部楼层
最后那句话我有两个理解:
1.  Rg不加后即使加了GS之间的那电阻,还是会有不正常工作状态发生;
2.  Rg不加的话,可以不加GS之间的那电阻;
 楼主| feighh 发表于 2011-1-17 09:32 | 显示全部楼层
不知道哪种理解是对的  求解;
justing88 发表于 2011-3-6 19:13 | 显示全部楼层
9# lyjian
你好,请问是哪两个文档,有好多弹出来,不知道是哪个??
bbsidking 发表于 2011-3-6 19:24 | 显示全部楼层
MOSFET的输入电阻很高,电荷无法泄放,这是本质,这一点也是经常需要注意的地方。
justing88 发表于 2011-3-6 19:31 | 显示全部楼层
9# lyjian

厉害啊,上面分析地真的很好,只是不知道阻止该多少
justing88 发表于 2011-3-6 19:36 | 显示全部楼层
1# feighh
好贴啊
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