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关于mos管GS两极之间并联电路的问题

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楼主: feighh
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21楼
tc9148| | 2011-3-6 20:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
10K是为了让G端电位稳一些。

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22楼
谈的元| | 2011-3-6 21:45 | 只看该作者
说防静电没错，如果没这个电阻，外界的电荷就会“电容”上感应出电压，电压一高，就会损坏，

有电阻的话，电压就升不到那么快，也没那么高。

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23楼
cbj1112| | 2011-3-6 22:24 | 只看该作者
我们万用表去量MOSFET的DS间电阻时，即使G是悬空，有时仍会出现导通或者电阻比较小的情况，这就是加这个电阻是必要性，防止G悬空，产生不可预见的导通状态。

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24楼
gaohq| | 2011-3-7 09:35 | 只看该作者
GS间并一个电阻也有防止上电瞬间MOSFET误导通的作用， 注意dv/dt

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25楼
zhouyulu| | 2011-3-7 12:53 | 只看该作者
场效应管是电压控制的，不是电流控制的，这个电阻的大小与开不开关没关系。

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26楼
zhaohe2001| | 2011-3-7 13:30 | 只看该作者
说防静电没错，如果没这个电阻，外界的电荷就会“电容”上感应出电压，电压一高，就会损坏，

有电阻的话，电压就升不到那么快，也没那么高。
谈的元 发表于 2011-3-6 21:45

静电的电流频谱是相当高的，这些电荷绝大多数都给mosfet栅极电容充电了，电阻流过的电流很小，不能使电压上升速度变慢。不过这个电阻可以“慢慢”泄放电荷，防止静电积累。

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27楼
成长中的人| | 2011-3-7 18:36 | 只看该作者
:)

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