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关于mos管GS两极之间并联电路的问题

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tc9148 发表于 2011-3-6 20:48 | 显示全部楼层
10K是为了让G端电位稳一些。
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谈的元 发表于 2011-3-6 21:45 | 显示全部楼层
说防静电没错，如果没这个电阻，外界的电荷就会“电容”上感应出电压，电压一高，就会损坏，

有电阻的话，电压就升不到那么快，也没那么高。
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cbj1112 发表于 2011-3-6 22:24 | 显示全部楼层
我们万用表去量MOSFET的DS间电阻时，即使G是悬空，有时仍会出现导通或者电阻比较小的情况，这就是加这个电阻是必要性，防止G悬空，产生不可预见的导通状态。
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gaohq 发表于 2011-3-7 09:35 | 显示全部楼层
GS间并一个电阻也有防止上电瞬间MOSFET误导通的作用， 注意dv/dt
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zhouyulu 发表于 2011-3-7 12:53 | 显示全部楼层
场效应管是电压控制的，不是电流控制的，这个电阻的大小与开不开关没关系。
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zhaohe2001 发表于 2011-3-7 13:30 | 显示全部楼层
说防静电没错，如果没这个电阻，外界的电荷就会“电容”上感应出电压，电压一高，就会损坏，

有电阻的话，电压就升不到那么快，也没那么高。
谈的元 发表于 2011-3-6 21:45

静电的电流频谱是相当高的，这些电荷绝大多数都给mosfet栅极电容充电了，电阻流过的电流很小，不能使电压上升速度变慢。不过这个电阻可以“慢慢”泄放电荷，防止静电积累。
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成长中的人 发表于 2011-3-7 18:36 | 显示全部楼层
:)
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