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请教下，可控硅的问题

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楼主: allayhbb
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21楼
dscchina| | 2011-1-18 20:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
在可控硅阳极与阴极间加反向电压可使可控硅关断，一般加电感电容产生反向高压使之关断。

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22楼
PowerAnts| | 2011-1-18 20:23 | 只看该作者
是的，可控硅逆变中频炉就是这么干的

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23楼
zhiyonghe| | 2011-1-18 21:02 | 只看该作者
不好好理解 过零点 ，想要控制可控硅的痛断是很难对付的！

我曾经在这栽过跟头

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24楼
pa2792| | 2011-1-18 21:16 | 只看该作者
弄不好爆炸，来个大电流可控硅、压敏电阻爆炸的图。

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25楼
PowerAnts| | 2011-1-18 21:42 | 只看该作者
躲在下面旮旯里的钞包线线圈是干嘛的？

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26楼
pa2792| | 2011-1-18 22:03 | 只看该作者
那个不是钞包线，是电路板燃烧后的残留物，那个线圈是磁保持继电器的驱动线圈。做实验爆炸的时候很壮观，可惜没有拍下照片。下次做实验全程录像才行。

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27楼
PowerAnts| | 2011-1-18 22:09 | 只看该作者
这个残留物很别致

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28楼
accelink-yy| | 2011-1-19 08:36 | 只看该作者
还没有到那个程度啊，学习学习先~~~

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29楼
lwslws201| | 2011-1-19 12:42 | 只看该作者
还要继续学习！ 多谢了。。。

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30楼
ghost1325| | 2011-1-19 12:49 | 只看该作者
在可控硅阳极与阴极间加反向电压可使可控硅关断，一般加电感电容产生反向高压使之关断。
dscchina 发表于 2011-1-18 20:21

逆变后级单硅时一般采用的就是这种方法
四硅就用脉冲变压器控制了

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31楼
allayhbb|  楼主 | 2011-1-19 14:38 | 只看该作者
双向晶闸管带感性负载，电流过零关断时，晶闸管两端电压将从近似为零迅速上升到交流电压峰值。
再次请教下，电流为零关断，说明dI/dt很小啊，根据法拉第电磁感应定律，感应电压也很小啊；那么晶闸管两端电压将从近似为零迅速上升到交流电压峰值；这如何说起呢？请教下高手！

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32楼
xmlms| | 2011-1-24 23:21 | 只看该作者
正常可控硅在而且只在电流过零时自动关闭，用IO口或三极管驱动时必需注意“象限”。当不需要移相只当开关时基本不用考虑电压与电流过流相位差（功率因素）问题。当负载为感性又需要移相控制时必需注意，当加大触发角度时，电压与电流过流相位差将减小（功率因素提高），反之增大（功率因素降低），进行电流过零检测可以进行精确移相控制。当负载为感性而不需要移相控制时，可通过测量电压与电流过流相位差在电压过零延时后采用3mS左右的脉冲触发（<120HZ）

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33楼
xmlms| | 2011-1-24 23:30 | 只看该作者
re 32楼：
因为：1.感性负载，所以关断时产生反向电动势。2.因为可控硅判断了，就算是阻性负载，通过负载回路电压就到可控硅两端了

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34楼
xmlms| | 2011-1-24 23:34 | 只看该作者
所以通过检测可控硅两端的压差就能知道可控硅是什么时候自已关断的，也就是电流是什么时候过零的了。

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35楼
allayhbb|  楼主 | 2011-1-25 08:59 | 只看该作者
同意32楼说法，但是一般用过零检测的话，为了避免上电冲击，一般都在过零点时候，开启可控硅！

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