本帖最后由 Andy003 于 2017-12-12 21:28 编辑
| N76E003 | STM8S003F3 | 内核 | 8051 (1T) | ST自有,哈佛架构,3-stage pipeline | 工作电压 | 2.4~5.5V | 2.95~5.5V | 主频 | 16M Hz(1T) | 16M Hz | APROM Flash(Byte) | 18K | 8K 100次烧写 | SRAM | 1k | 1k | DATA Flash/EEPROM | 0~18k(与aprom共享) | EEPROM 128Byte 100K次 | 时钟源 | 3种,Oscillator,HIRC,LIRC | 3种,Crystal,HIRC,LIRC | 外部高速晶振 | 必须有源时钟源(Oscillator) | 1-16 MHz | 外部低速晶振 | | | 内部高速时钟 | 16 MHz ±1% @ 25℃
16 MHz ±2% @ -40~105℃ | 16 MHz ±5% @ -40~85℃ | 内部低速时钟 | 10 kHz(±50%) | 128 kHz | 定时器 | 3*16-bit + 1*16-bit(for PWM) | 2*16-bit, 1*8-bit | GPIO | 17+1 输入口(复位脚),最多同时1端口8路IO口中断. | 16,16路硬件IO中断 | PWM | 6Chs*16bit : 一个16bit的定时器用于频率设置,每个通道都可以单独设置占空比 | 3 CHs | ADC | 8Ch, 12-bit, 400 ksps, 单个模式, 带隙电压需校准* | 5Ch, 10-bit, 428 kHz/14 clocks,
单个/连续模式 | 比较器 | | | CRC | | | UART | 2 Uart | 1Uart 1Mbps, 兼容SC,IrDA,LIN | SPI | 8 Mbit/s | 8 Mbit/s | I2C | 400Kbit/s | 400Kbit/s | 掉电模式电流 | 〈 5 uA | 6 uA | 唤醒时间 | 30us | 54us | EFT(电快速瞬变脉冲群) | 4.4KV | | ESD(静电释放) | ESD: HBM/8KV, MM/400V | ESD:HBM/4KV,CDM/1KV | ICE调试接口 | 两线+nReset | 一线 | 封装 | TSSOP20/QFN20 | TSSOP20/UFQFN20(3*3) |
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产品第一是质量,二是成本;在不影响质量的前提下,需要考虑成本;看了新唐这个MCU确实不错,价格也很好;有谁和我一样用汇编语言写程序的??