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请问：MOS管如何接，才能使它工作在开关状态？

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楼主
allayhbb|  楼主 | 2011-1-21 11:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, MOS管, 开关, os
请专家回答下，谢谢！

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沙发
maychang| | 2011-1-21 11:34 | 只看该作者
只要驱动足够就可以使MOS管工作于开关状态。

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板凳
mmax| | 2011-1-21 11:40 | 只看该作者
Vgs大于Vgs(th)
如果这两个参数不知道含义的话，找个MOS的datasheet看看。

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地板
qinbaobo| | 2011-1-21 12:33 | 只看该作者
还要注意NMOS与PMOS的区别

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5楼
William_2010| | 2011-1-21 13:01 | 只看该作者
我只知道NMOS 2N7002 Vgs电压在2V左右就能当开关用，只不知道对d极电压有没有要求，也请高手解答一下。

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6楼
allayhbb|  楼主 | 2011-1-21 13:26 | 只看该作者
Vgs大于Vgs(th)  这个条件应该只能说明MOS管导通吧。
？？？？？？？？？

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7楼
ghost1325| | 2011-1-21 13:41 | 只看该作者
自己搭个简单的电路做个实验就知道了
以前实测过3205的VGS
在VGS小于2.2V时 处于截止区及可变电阻区
当大于2.2V时 已差不多完全导通了

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8楼
wj8215| | 2011-1-21 15:04 | 只看该作者
NMOS要完全导通，不是说要VGS>VDS吗？

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9楼
maychang| | 2011-1-21 15:26 | 只看该作者
8楼：
没有的事。

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10楼
allayhbb|  楼主 | 2011-1-21 15:48 | 只看该作者
那究竟应该怎么样的？

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11楼
mmax| | 2011-1-21 15:58 | 只看该作者
6# allayhbb

参见某款MOS的Vgs-Id曲线。(注：各个型号MOS不一样）

你的Id有多大？

未命名.JPG (30.22 KB )

未命名.JPG

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12楼
allayhbb|  楼主 | 2011-1-21 16:49 | 只看该作者
我的ID有700多MA

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13楼
allayhbb|  楼主 | 2011-1-21 16:53 | 只看该作者
但是我用0, 5V的 PWM波来驱动MOS管的 。

上面那张图是不是表明，若Vgs为6V，那么MOS管通过的最大电流ID 6A  ？？？

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14楼
mmax| | 2011-1-21 21:32 | 只看该作者
不同型号不一样。
你得看你用的MOS资料。

而且这个曲线上只是一个样品趋势关系，
绝对的值得看 electrical character里面的那个表里的Vgs(th)最大值，结合这个图表来算出来。

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15楼
maychang| | 2011-1-21 21:43 | 只看该作者
可以根据管子的Vgs(th)、互导以及你所需要的电流来计算信号幅度。

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16楼
fhl2002| | 2011-1-22 10:31 | 只看该作者
给足够的vgs，快速的上升下降时间就够

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17楼
zhang12liang| | 2011-1-25 10:10 | 只看该作者
本帖最后由 zhang12liang 于 2011-1-25 10:17 编辑

Vgs大于Vgs(th)时，要满足以下条件
Vds大于Vgs-Vgs(th)，NMOSFET工作在饱和区（放大区）
Vds小于Vgs-Vgs(th)，NMOSFET工作在变阻区
工作在开关状态：
开：Vgs大于Vgs(th)时，要满足以下条件
Vds大于Vgs-Vgs(th)，NMOSFET工作在饱和区（放大区）
关：Vgs小于Vgs(th)即可

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18楼
zhang12liang| | 2011-1-25 10:12 | 只看该作者
本帖最后由 zhang12liang 于 2011-1-25 10:14 编辑

PMOSFET满足Vgs小于Vgs(th)时（注意Vgs(th)是负电压，Vgs要比它更负）
Vds大于Vgs-Vgs(th)，NMOSFET工作在变阻区
Vds小于Vgs-Vgs(th)，NMOSFET工作在饱和区（放大区）

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