请问：MOS管如何接，才能使它工作在开关状态？

发表于 2011-1-21 11:29

请专家回答下，谢谢！

发表于 2011-1-21 11:34

只要驱动足够就可以使MOS管工作于开关状态。

发表于 2011-1-21 11:40

Vgs大于Vgs(th)
如果这两个参数不知道含义的话，找个MOS的datasheet看看。

发表于 2011-1-21 12:33

还要注意NMOS与PMOS的区别

发表于 2011-1-21 13:01

我只知道NMOS 2N7002 Vgs电压在2V左右就能当开关用，只不知道对d极电压有没有要求，也请高手解答一下。

发表于 2011-1-21 13:26

Vgs大于Vgs(th) 这个条件应该只能说明MOS管导通吧。
？？？？？？？？？

发表于 2011-1-21 13:41

自己搭个简单的电路做个实验就知道了
以前实测过3205的VGS
在VGS小于2.2V时处于截止区及可变电阻区
当大于2.2V时已差不多完全导通了

发表于 2011-1-21 15:04

NMOS要完全导通，不是说要VGS>VDS吗？

发表于 2011-1-21 15:26

8楼：
没有的事。

发表于 2011-1-21 15:48

那究竟应该怎么样的？

登录 · 发表于 2011-1-21 15:58

6# allayhbb

参见某款MOS的Vgs-Id曲线。(注：各个型号MOS不一样）

你的Id有多大？

发表于 2011-1-21 16:49

我的ID有700多MA

发表于 2011-1-21 16:53

但是我用0, 5V的 PWM波来驱动MOS管的。

上面那张图是不是表明，若Vgs为6V，那么MOS管通过的最大电流ID 6A ？？？

发表于 2011-1-21 21:32

不同型号不一样。
你得看你用的MOS资料。

而且这个曲线上只是一个样品趋势关系，
绝对的值得看 electrical character里面的那个表里的Vgs(th)最大值，结合这个图表来算出来。

发表于 2011-1-21 21:43

可以根据管子的Vgs(th)、互导以及你所需要的电流来计算信号幅度。

发表于 2011-1-22 10:31

给足够的vgs，快速的上升下降时间就够

发表于 2011-1-25 10:10

本帖最后由 zhang12liang 于 2011-1-25 10:17 编辑

Vgs大于Vgs(th)时，要满足以下条件
Vds大于Vgs-Vgs(th)，NMOSFET工作在饱和区（放大区）
Vds小于Vgs-Vgs(th)，NMOSFET工作在变阻区
工作在开关状态：
开：Vgs大于Vgs(th)时，要满足以下条件
Vds大于Vgs-Vgs(th)，NMOSFET工作在饱和区（放大区）
关：Vgs小于Vgs(th)即可

发表于 2011-1-25 10:12

本帖最后由 zhang12liang 于 2011-1-25 10:14 编辑

PMOSFET满足Vgs小于Vgs(th)时（注意Vgs(th)是负电压，Vgs要比它更负）
Vds大于Vgs-Vgs(th)，NMOSFET工作在变阻区
Vds小于Vgs-Vgs(th)，NMOSFET工作在饱和区（放大区）

请问：MOS管如何接，才能使它工作在开关状态？

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