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MOS管导通电阻Rds是不是可以这样计算？

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wozaihuayu|  楼主 | 2017-9-13 16:08 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 导通电阻, 电压, 电流, AC
本帖最后由 wozaihuayu 于 2017-9-13 17:32 编辑

比如我用的AOD403 PMOS管，我在GS端加-10V电压，则MOS管处于导通状态，电流表测得导通时电流Ids = 9.8A

此时我用万用表测量MOS管的 D脚和S脚电压，得出Vds = 0.13V

那么此时导通电阻Rds = Vds/Ids  = 0.13V/9.8A = 0.0133欧？@chunyang



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沙发
wozaihuayu|  楼主 | 2017-9-13 16:29 | 只看该作者
那么手册上介绍的导通电阻是6.2毫欧


是不是我这芯片是假的？


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板凳
一事无成就是我| | 2017-9-13 18:48 | 只看该作者
不是，那个有个条件，是结温低于多少，结温变高，内阻会增加

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地板
zk55| | 2017-9-13 21:14 | 只看该作者
除满足条件外还要用毫欧表

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5楼
chunyang| | 2017-9-13 22:59 | 只看该作者
手册上的参数是有测试条件的，验证参数是否满足手册，应该在手册参数的测试条件下进行。

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6楼
wozaihuayu|  楼主 | 2017-9-14 08:29 | 只看该作者
一事无成就是我 发表于 2017-9-13 18:48
不是，那个有个条件，是结温低于多少，结温变高，内阻会增加

是跟结温有关，手册也提到！但是我是刚上电测得呀！应该不会变化那么快吧！？

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7楼
wozaihuayu|  楼主 | 2017-9-14 08:34 | 只看该作者
chunyang 发表于 2017-9-13 22:59
手册上的参数是有测试条件的，验证参数是否满足手册，应该在手册参数的测试条件下进行。 ...

没看到什么特别的条件，就是表头说明是在室温25℃情况下进行，电流说的是-20A，我是-10A!

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8楼
wozaihuayu|  楼主 | 2017-9-14 08:35 | 只看该作者
zk55 发表于 2017-9-13 21:14
除满足条件外还要用毫欧表

MOS管导通时，毫欧表是测不准的！

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9楼
wozaihuayu|  楼主 | 2017-9-14 08:45 | 只看该作者
chunyang 发表于 2017-9-13 22:59
手册上的参数是有测试条件的，验证参数是否满足手册，应该在手册参数的测试条件下进行。 ...

在问下chun哥，手册中这个表

是不是就是介绍MOS管温升和功率关系?

能不能科普下MOS管选型考虑温升时，如何关注这个表！

感谢！！！

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10楼
山东电子小菜鸟| | 2017-9-14 11:35 | 只看该作者
没必要这么精确的，你肯定要留很大裕量的，况且还要加散热片

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11楼
Lee_3| | 2017-9-14 14:29 | 只看该作者
wozaihuayu 发表于 2017-9-14 08:45
在问下chun哥，手册中这个表

是不是就是介绍MOS管温升和功率关系?

节点到环境    开启时间小于10S      典型16    最大20      度/瓦
节点到环境    稳定状态...
节点到外壳...

环境应该指的节点和外壳之间的温度？

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12楼
wozaihuayu|  楼主 | 2017-9-14 14:46 | 只看该作者
山东电子小菜鸟 发表于 2017-9-14 11:35
没必要这么精确的，你肯定要留很大裕量的，况且还要加散热片

关键没地方加散热片。。。。。

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13楼
一事无成就是我| | 2017-9-14 14:47 | 只看该作者
wozaihuayu 发表于 2017-9-14 08:29
是跟结温有关，手册也提到！但是我是刚上电测得呀！应该不会变化那么快吧！？ ...

那只能说明是你想象的，你了解了工艺就明白了

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14楼
chunyang| | 2017-9-14 15:27 | 只看该作者
wozaihuayu 发表于 2017-9-14 08:45
在问下chun哥，手册中这个表

是不是就是介绍MOS管温升和功率关系?

是的，但设计时需考虑的是极限值并留取余量。也就是说，假设内阻最大，然后采取措施散热，令内阻/温升不会过限.

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15楼
chunyang| | 2017-9-14 15:28 | 只看该作者
wozaihuayu 发表于 2017-9-14 14:46
关键没地方加散热片。。。。。

对于功率器件，热设计必须考虑，否则就等着烧的一塌糊涂吧。

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16楼
ccmc| | 2017-9-14 20:09 | 只看该作者
本帖最后由 ccmc 于 2017-9-14 20:10 编辑

你确定是原厂的ic吗，不是仿的或者别的品牌

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17楼
xaorry| | 2017-9-14 21:40 | 只看该作者
手册 上应该还有个内阻跟温度 的曲线

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18楼
pmw_56| | 2017-9-16 12:54 | 只看该作者
MOS管的应用，你不能看手册上的那个电流去用，实际中不加散热片，靠自然导热，主要是PCB的导热，这就增加了热阻，手册上有关于热阻的参数。所以实际应用最终还是要看温升是不是能搞承受的了，比喻手册上的最大PD(max)是一个在特定环境温度 Ta下，和一定的热阻下得出的最大耗散功率，这个功率实际应用中根本达不到因为你的热阻达不到。 P = Tj - Ta / θr   ,      Tj 一般是125--150摄氏度， Ta环境温度，   θr为热阻，  P是你实际用到的功率

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19楼
pmw_56| | 2017-9-16 12:58 | 只看该作者
也就是一切以温升为准，不加散热片的话，可能就只有最大耗散功率的1/5--1/20可以用，根本就不能以手册上的那个电流去用

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20楼
mmuuss586| | 2017-9-16 13:14 | 只看该作者
差的也不多，正常的；

你的测试方法也没错；
另外测试电阻的话，建议4线制测试；
引线上，管脚上也有压降的

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