coolmosfet

只看该作者 · 2011-1-26 13:55

电压电流同等级的COOLMOS和一般的POWER MOS区别在那里？是不是功耗更低？开关速度更快？但是要求驱动电流更大？

2万 · 2011-1-26 14:01

CoolMos是英飞凌超结场效应晶管管的别称，晶圆的面积，厚度都比常规工艺要小，而且导通电阻只有传统工艺的1/10

1万 · 2011-1-26 16:45

coolmos的优势在于RDS更小，开关速度更快，分布参数更小，VTH小。

只看该作者 · 2011-1-26 22:16

开关速度更快，岂不是在同等开关频率的情况下要求驱动峰值电流更大？

2万 · 2011-1-26 22:17

本帖最后由 PowerAnts 于 2011-1-26 22:18 编辑

第一个是优势，后三个俺保留反对意见，喝酒再说

刚才改错别字，怎么竟然不见了

2万 · 2011-1-26 22:18

3楼变5楼，晕倒

2万 · 2011-1-26 22:26

开关速度更快，岂不是在同等开关频率的情况下要求驱动峰值电流更大？
capturepower 发表于 2011-1-26 22:16

因为晶片比较薄，结电容比传统MOS要大两三倍，相同频率下便需要更大的驱动电流。

1万 · 2011-1-27 16:12

刚好相反吧。

2万 · 2011-1-27 16:16

不在这里扯，怕胡哥不高兴，哈哈

2万 · 2011-1-27 16:25

总的来说，CoolMOS是个很不错的开关，做ZVS比较不错。做硬的建议用英飞凌的CFD，据说效率只比ZVS低一两个百分点，相当的不错

1万 · 2011-1-27 18:37

不在这里扯，怕胡哥不高兴，哈哈
PowerAnts 发表于 2011-1-27 16:16

这个可以扯。

2万 · 2011-1-27 18:44

算了，犯不着这样

1万 · 2011-1-27 19:49

有讨论才有进步。

2万 · 2011-1-27 20:32

好吧，咱们分别对比一下低压和高压两种情况，第一场是IR的IRF1404对Infineon的IPP105N04N

Ciss,Coss的测试条件：VGS=0V，VDS=20V，FREQ=1M

2万 · 2011-1-27 20:37

本帖最后由伟林电源于 2011-1-27 23:48 编辑

第二场：advanced power technology的APT10050FN 对 Infineon 的IPW90R120C3

Ciss,Coss测试条件：VGS=0V，VDS-25V，FREQ=1M

----- 请确定里面的条件是否正确 ----- 伟林电源附

2万 · 2011-1-27 20:47

幸好我的硬盘里有千种功率MOS的数据表，不然要被这个置顶贴给逼上吊了

1万 · 2011-1-27 20:57

本帖最后由伟林电源于 2011-1-27 21:08 编辑

14楼：

先弄清楚你对比的可是coolmos？？:L

2万 · 2011-1-27 20:58

IPW90R120C3咋就不是CoolMos了

1万 · 2011-1-27 21:23

上传两个的datasheet。

IPW90R120C3.pdf (282.97 KB)

APT10050datasheet.pdf (71.64 KB)

1万 · 2011-1-27 21:26

APT的资料也忒简单了吧。