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可控硅驱动电路

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沙发
PowerAnts| | 2011-2-13 20:31 | 只看该作者
在G、K间并一个电阻及一个电容,可大大降低干扰

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板凳
action99|  楼主 | 2011-2-16 19:58 | 只看该作者
大概并多大的最合适的?

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地板
chunyang| | 2011-2-16 22:22 | 只看该作者
楼主遇此现象是因为可控硅触发极的连线过长,感应电磁干扰后会导致误触发,2楼的处理方**确,电容值可选1000pF量级即可,电阻则选数百欧姆的,只用电阻也行,看耦合强度了。

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action99|  楼主 | 2011-2-17 08:10 | 只看该作者
谢谢。。。

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木糖醇加可乐| | 2014-4-29 21:56 | 只看该作者
chunyang 发表于 2011-2-16 22:22
楼主遇此现象是因为可控硅触发极的连线过长,感应电磁干扰后会导致误触发,2楼的处理方**确,电容值可选100 ...

您指定是晶闸管两端的吸收电路吗?那么请教一下,这个参数具体怎么计算好呢?是根据它的时间常数来算的吗?还是什么?

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chunyang| | 2014-4-30 00:04 | 只看该作者
木糖醇加可乐 发表于 2014-4-29 21:56
您指定是晶闸管两端的吸收电路吗?那么请教一下,这个参数具体怎么计算好呢?是根据它的时间常数来算的吗 ...

完全不同的两码事。吸收回路是为了应对感性负载的瞬态电压变化斜率,是接在可控硅的两个主电极间的。楼主问题则属于抗电磁干扰问题,与触发回路有关,所以是两个截然不同的概念,别看到RC就以为是一码事。

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corset| | 2014-5-4 15:33 | 只看该作者
PowerAnts 发表于 2011-2-13 20:31
在G、K间并一个电阻及一个电容,可大大降低干扰

正解

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