项目中有一个要求,需要更改一条记录数据的状态,是这样的,记录数据存在nandflash中,由于Nandflash只能进行页编程,并且是由1改成0,在写之前还得将该页进行格式化后再进行页写操作。
我用的Nandflash是一个扇区有32个页,每页是512个字节(可以单页读/写,但每次格式化都是一个扇区)。我如果想进行字修改/编程的话,我想应该方法是:先将32个页全部读入RAM中,把RAM要修改的内容进行修改,然后再格式化这个扇区,再把RAM中的数据写入到这个扇区吧。
现在我有一个想法来节约时间,不知道可以吗?
我直接读取一个页(512个字节),再将要改内容改变,(可以保证是由1改成0),再将整页写入这个页,这个时候可以成功吗?
如:11 22 33 44 FF 。。。。。。 512个字节
改成:11 22 33 44 55 。。。。。。512个字节
可以吗 |