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空间电荷区的问题

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楼主
chen3bing|  楼主 | 2011-2-18 19:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电场, 模拟, 模拟电路, 电路, 离子
在康华光的模拟电路第五版中，有这样一段话：
发生齐纳击穿需要的电场强度很高，这只有在杂质浓度特别高的PN结中
才能达到，因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷（即杂质离子）密度也大，
因而空间电荷区很窄，电场强度就可能很高。
红色的文字我不懂。为什么空间电荷区就窄了呢？
请高手指教，谢谢！

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沙发
HWM| | 2011-2-18 23:04 | 只看该作者
应该是耗尽层很窄。由于重参杂，由扩散而致的耗尽层很薄，等电压下耗尽层内的场强很高，致使齐纳击穿。

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板凳
chunyang| | 2011-2-18 23:36 | 只看该作者
深度理解这个问题需要去看看半导体物理。

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地板
FRANK.W| | 2011-2-19 13:11 | 只看该作者
呵呵，刚看到。
你首先要明白几点：
1.扩散运动、漂移运动的含义
2.掺杂浓度与内电场的关系
扩散运动与漂移运动在整个PN结中都存在（P区、N区、空间电荷区）。在空间电荷区的形成初期正是由于P/N两个区的载流子浓度的原因几乎只有扩散运动，扩散运动造成P/N区的临界处空穴与自由电子复合，P区的空穴消失出现负离子N区的自由电子消失出现正离子，这样正负离子的出现就形成了内电场（也就是空间电荷区内的离子电场）。内电场的出现会抑制各区多子的扩散运动，相反开始形成空间电荷区少子的漂移运动并逐渐失去增强。当随着多子扩散运动的进行内电场逐渐增强（同时扩散运动减弱、漂移运动增强），直到扩散运动与漂移运动实现动态平衡。
如果是高浓度掺杂的话，在单位体积内带电粒子的浓度增强，因此在扩散运动进行的同时内电场由于高浓度的离子迅速增强，进而在空间电荷区较窄的时候就足以使扩散运动和漂移运动达到平衡。

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5楼
FRANK.W| | 2011-2-19 13:13 | 只看该作者
所以说，掺杂浓度较大则空间电荷区就会较窄！  个人的一点点看法

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6楼
ssy250| | 2011-2-21 08:44 | 只看该作者
可以理解为电荷密度，单位体积内的电荷数量。

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7楼
shenzhiwu333| | 2011-7-14 14:35 | 只看该作者
四楼的好像有点道理

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