用ZET6控制8位SRAM。本来想写0~127的数，但在SRAM中看到（用keil 仿真环境下memeory看）的是0x7E，0x7F，还有0xFD之类的数据，整片RAM写的内容都不对。
单步调试可以做到写入想要的数，但不是1个字节，而是16个字节都是一个数。每次写入一个字节都是16个字节一起变化。
程序参照STM32F103E开发板SRAM（IS61WV51216BLL）例程。
经计算Address setup time 是0，Data setup time是4，应满足要求。
用示波器看只有NOE信号不正常，虽有电平变化，但高电平3.3V，低电平2.8V。其他控制信号满足SRAM时序要求，数据信号线正常，地址线还没测呢。
请大家帮我分析这是什么原因。用ZET6控制8位SRAM与控制16位SRAM比较有何不同啊？ |
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