在用JTAG调试时遇到的几个问题

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 楼主| yybj 发表于 2011-2-24 19:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
smart ARM2200里面有三个存储器:
1:2M 的NOR FLASH(SST39VF160);
2:8M的PSRAM(MT45W4MW16);
3:16M的NAND FLASH(K9F2808U0C)
我想问问:
1、当我们平时在用JTAG调试的时候,那些代码是不是放在1或者2,两个地区别是什么呢?
2、当要把程序固化在产品上,是固化到3上吗?那时如果有嵌入式程序是靠1来装BootLoader引导程序吗?此时2有什么作用?
3、在芯片上的存储空间用来干什么呢?2210没有内部flash,它的程序放在3上吗?对于有内部flash的2214,是不是可以不用到1,内部的flash用来装BootLoader引导程序?
4:如果是一个已经有了成功的程序,要固化在产品上用来生产,不用调试了,是不是不用到2(2210)或者不用到1和2(2214)?
maoyanketi 发表于 2011-2-24 20:21 | 显示全部楼层
恩,不太懂,问问菜农吧
火箭球迷 发表于 2011-2-25 10:07 | 显示全部楼层
用JTAG调试的时候,那些代码在NOR FLASH里面
pkat 发表于 2011-2-25 17:02 | 显示全部楼层
程序是固化在NAND FLASH上
思行合一 发表于 2011-2-25 17:36 | 显示全部楼层
这两个flash有什么区别啊?
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