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肖特基二极管和快恢复二极管的区别(转)

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米其林r|  楼主 | 2011-2-26 02:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别(他们恢复时间都是很快的):
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)(此处为什么不提是什么材料?),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。
肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)(用这个方法可以判断出该器件)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。

肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!
前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.


肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
想问一下,为何会有反向恢复时间
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别?
对于高频开关电源来说,由于频率很高(相位变换)当正半周时二极管正篇导通此时无影响,如果二极管反向恢复比较慢时,当负半周到来由于二极管还没有从正偏时的导通状态变成截止相当于短路就等于是负半周的电压与正半周的电压叠加在二极管两端,由于频率很快,反向的时间就很短(等同与短路时间很短)所以一般情况下二极管不会立即烧掉,而是将短路的能量消耗在二极管的压降所以造成发热严重,同时整流的效果大大的降低.....

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沙发
明天我还来| | 2011-2-26 22:17 | 只看该作者
谢谢楼主帮我扫肓了。

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板凳
即时生效| | 2011-2-26 22:27 | 只看该作者
不错,基础教育,扫盲了

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地板
中国机器| | 2011-2-26 23:22 | 只看该作者
原来如此!

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5
杜_U_ME| | 2011-2-27 10:49 | 只看该作者
不错,看懂了!

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6
weshiluwei6| | 2011-9-26 15:17 | 只看该作者
不错 看懂啦

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7
daisyly| | 2011-9-26 15:37 | 只看该作者
有些地方我还不明白。

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