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DC/DC的BS引脚电容的作用

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effx|  楼主 | 2011-2-28 16:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
图1的DC/DC有个BS脚接了个10nF的电容到SW脚,图2是这个DC/DC的内部有关BS引脚的框图。BS的波形是SW的波形加上5V的直流,是不是因为可以把图2中5V接的二极管看作是个无穷大的电阻,而电容的阻抗又极小,这样SW的波形就全加在BS引脚,BS脚的波形就是5V加上SW的波形了。这样理解对吗?

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相关帖子

沙发
伟林电源| | 2011-2-28 19:15 | 只看该作者
貌似自举功能。

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板凳
boy4477| | 2011-2-28 23:13 | 只看该作者
BS的电压就是内部驱动器的供电电压,所以输出的Gate电压高电位就变高了。
最终目的是要产生一个高于input电压的电压,似MOS持续导通。

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地板
tomzhang100| | 2011-3-1 00:07 | 只看该作者
同意3楼说法

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5
omi_liang| | 2011-3-1 08:34 | 只看该作者
我觉得楼主的理解可以接受,我也是同样觉得的

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6
tkydax| | 2011-3-1 09:10 | 只看该作者
high side mosfet 自举功能

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7
effx|  楼主 | 2011-3-1 13:23 | 只看该作者
它datasheet上已经写了是驱动high side mosfet,我也知道要驱动high side 的N mosfet需要一个高过输入电压的电压。我只是想知道到我的理解有没有问题?

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8
jasonell| | 2011-3-1 15:12 | 只看该作者
电路叠加原理,

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9
伟林电源| | 2011-3-1 17:54 | 只看该作者
它datasheet上已经写了是驱动high side mosfet,我也知道要驱动high side 的N mosfet需要一个高过输入电压的电压。我只是想知道到我的理解有没有问题?
effx 发表于 2011-3-1 13:23


可以这么理解。

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10
effx|  楼主 | 2011-3-3 09:19 | 只看该作者
当SW输出的PWM波形处于零电压期间,+5V通过二极管快速给电容正向充电,使得电容两端的电压为+5V,BS的电压这时也是+5V;
当PWM波形由零电压跳变到幅值时,由于电容两端的压不能突变,所以电容两端的电压仍是+5V,BS
的电压就是+5V加上PWM波形的幅值电压;
在PWM波形幅值电压期间,PWM的幅值电压要给电容反向充电,但是二极管此时截止使得充电非常非常慢,电容两端的电压变化微乎其微,这段时间BS的电压也是+5V加上PWM波形的幅值电压;
虽然在PWM波形处于幅值电压期间,电容两端的电压变化微乎其微,但还是有变化的,但这种变化得不到
累积。因为PWM电压由幅值变到零电位之后,+5V电压马上给电容正向充电,这样抵消了电容两端电压在
幅值期间的微小变化,使得电容两端的电压维持在+5V。

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andy1wang + 1
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li-0165| | 2011-11-22 11:23 | 只看该作者
10# effx

看看哦,是不是一样的1

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12
wangwenxue| | 2011-11-22 13:27 | 只看该作者
自举电容

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13
linghu12001| | 2012-8-15 11:13 | 只看该作者
当SW输出的PWM波形处于零电压期间,+5V通过二极管快速给电容正向充电,使得电容两端的电压为+5V,BS的电压这时也是+5V;
当PWM波形由零电压跳变到幅值时,由于电容两端的压不能突变,所以电容两端的电压仍是+5V,BS
...
effx 发表于 2011-3-3 09:19

请教一下,SW输出PWM波吗?SW应该是电压整形前的锯齿吧? 不太明白后面的PWM给电容充电的说法,请问能详解下吗?新手呵呵

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14
stoichkov| | 2012-8-15 11:16 | 只看该作者
理解是对的,在CMOS工艺中,使用N管可以达到更小的晶圆面积,缩减成本。

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15
xiaguoer555| | 2012-8-16 10:51 | 只看该作者
因为SW不是直接接地,而是接输出正极,这样就需要驱动电路足够大,而C5于IC内部就构成一个自举电路,为驱动提供足够大的电压。

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16
qjy_dali| | 2012-8-17 21:55 | 只看该作者
自举电容,用来正常驱动高端N-MOSFET的;这种电源唯一要注意的是都不能支持100%占空比,所以非常不适合低压差场合。

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17
hndxwxl| | 2012-8-19 21:44 | 只看该作者
我看到这个电容一般会串联一个2.2ohm的电阻,是什么用意呢?还有,电容值是怎么定的呢??

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18
boy4477| | 2012-8-19 22:31 | 只看该作者
串联一个2.2ohm的电阻,

要先测测上端MOS的Gate波形,要是有很大的过冲,就要加gate电阻和boost电阻。
另外,EMI方面不通过的话,也要改这部分。

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jany.wei| | 2012-8-20 14:59 | 只看该作者
学习

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20
szjlkj| | 2012-8-20 15:15 | 只看该作者
大家好我是新来的,前来报个道:(

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