打印

如何用两个N mos管串联以提高耐压?

[复制链接]
14948|4
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
沙发
weihualong|  楼主 | 2011-3-4 07:18 | 只看该作者
是不是太简单了,串联虽然解决了Vds的耐压,但Vdg的耐压仍然没有解决。

未命名.GIF (3.24 KB )

未命名.GIF

使用特权

评论回复
板凳
airwill| | 2011-3-8 13:50 | 只看该作者
这样子不行哦, 如果 VCC 超过一个管子的耐压点, 在截至时, Q6 首先击穿, Q6 -S 电压上升, 于是 Q6 的Vgs出现反压, 通常这个反压是受限制的, 不超过 20V, 电压再升高, Q6 的GS 首先会击穿导致损坏.
所以合理的电路, 要让 Q6的 控制电压浮置(相对与 Q6 的 S极).

使用特权

评论回复
地板
cgkdxx| | 2015-5-7 22:02 | 只看该作者
用隔离变压器驱动?

使用特权

评论回复
5
whtwhtw| | 2015-5-8 10:22 | 只看该作者
串联能提高耐压吗?微观上讲,总有一个mos先导通,然后击穿另一个mos管,再击穿这个MOS管。

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

26

主题

232

帖子

0

粉丝