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新手问各位一个问题

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qzr_1986|  楼主 | 2011-3-3 08:52 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
HWM| | 2011-3-3 09:11 | 只看该作者
re LZ:

1)两铜线(导体)接触,则会有电子相互对流。因为那是自由电子(严格来说,在导带内的电子是自由的)。

2)P型和N型半导体都能导电,但其导电性能随外部条件的变化会有很大的变动,这也是其被称之为“半导体”的原因。注意,其特性有别于电阻,不是说导电率低一点(如电阻)就是半导体了。

3)P型和N型半导体的导电实质都是存在着“载流子”,只不过一个是“空穴”(P型)其能被电子填补,而另一个是电子(N型)其存在于导带内。

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板凳
mmax| | 2011-3-3 09:36 | 只看该作者
我来跟一下hwm教授,:lol
1)肯定能,自由运动。电子是自由的。就跟你把两个盐水混合一下,盐离子不分你我,
2)掺杂的半导体内有多子,多子就是能脱离原子核受傅而自由移动的。P的多子是空穴,N的是电子,所以能导电。纯半导体则导电很微弱。

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地板
qzr_1986|  楼主 | 2011-3-3 10:15 | 只看该作者
re: HWM大神
谢谢HWM,也就是P型和N型半导体 导电的实质 都是因为它们内部提供了让电子能够自由移动的条件,这样说对吗?
也谢谢mmax

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5
HWM| | 2011-3-3 14:19 | 只看该作者
to 4L:

“也就是P型和N型半导体 导电的实质 都是因为它们内部提供了让电子能够自由移动的条件,这样说对吗?”

是的。

原来准备在“技术交流”那里开个新帖,聊聊“泡利原理”和“能带模型”。可惜未能发出(只见一个标题),事后也就没了兴致。

在此不妨简单说说:

由“泡利不相容原理”(后来已知只是个推论)我们知道,费米子(如电子)在物体内的状态是互不相同的,相对应的能态自然也就不同。除简并外,电子各处在不同的能级上,形成了一系列的能带。同能带内,电子的能态分布非常密集,相互跳跃非常容易。而不同能带间由能隙分隔开来,此分隔带也叫禁带。

绝缘体内的电子基本都完全填满了其最低的能带(也称满带),故电子被束缚在了满带内不能自由移动。

导体情况不同,其除了低能带是满带外,最高能带只有一个或数个少数电子,能带几乎是空的。如此电子便可以自由流动(包括进出)。

半导体的情况则比较特殊。虽然原来半导体(如硅)的能带也是满带,但其最高能带和更高能带(原先是空的)间的能隔不大,电子只要具有少许的动能(宏观为热能)就能跨过能隙进入到更高的能带。如此,原来能带就出现了电子的空缺(即空穴),而上面的更高能带内便出现了自由电子。这就是受热本征半导体的基本导电机理。如果掺杂,那就会产生出更多的空穴或自由电子。将这些半导体再有机结合后,便构成了各种不同的半导体器件。

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6
china_tongxin| | 2011-3-3 16:31 | 只看该作者
我不明白第一个问题,两根铜线A,B,放在一起(A,B是两个独立的铜线,没有任何连接),并没有通电,A的电子如何跑到B上,以前说,电子运动,是由于外界给他施加了外力,才使得,电子有规律的运动。。。现在A,B独立的放着,这两个铜线,也没有通电。就没有外力。。。。何解,,,,,,

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7
HWM| | 2011-3-3 17:39 | 只看该作者
to 6L:

没接触,自然不会有自由电子的对流,LZ说了“接触面”,所以理解为有接触。

在无宏观电场的情形下,自由电子还是流动的,只是无规则而以。

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8
mmax| | 2011-3-3 17:53 | 只看该作者
没有外力电子是瞎跑。宏观不产生电流。
有外力电子是有方向的跑。

金属接触不通电,就会相互渗透电子。由于都是随机的,所以不产生电流。

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9
qzr_1986|  楼主 | 2011-3-3 18:41 | 只看该作者
re HWM:
谢谢。再问您一下,“......虽然原来半导体(如硅)的能带也是满带,但其‘最高能带’和‘更高能带’(原先是空的)间的能隔不大......",那么N型半导体的电流流动  就是因为”更高能带“里面的自由电子  的流动产生的,那么P型半导体的电流流动   是因为”最高能带“里面的电子去填充”最高能带”里面的空穴时的流动产生的?  还是因为  “更高能带”里面的自由电子去填充“最高能带”里面的空穴时的流动产生的?

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10
HWM| | 2011-3-3 19:08 | 只看该作者
re 9L:

问题够绕口的....

简答一下,详细涉及其他知识,不宜在此详答:

若是本征半导体(未经掺杂),则其内的空穴和自由电子等量。两种载流子以同等比例流动,形成电流。如果掺入三价杂质形成P型半导体,则合并后的最高能带内会多出一些空穴。由于电子的热运动,还会有部分电子跃迁到原先为空的更上层能带。如此,P型半导体内会存在大量的空穴(称为多子)和少量的自由电子(称为少子)。同样分析可以得知N型半导体内存在着大量的自由电子(多子)和少量的空穴(少子)。半导体内的导电性就是由那些多子和少子的密度所决定的。

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11
qzr_1986|  楼主 | 2011-3-3 22:03 | 只看该作者
re HWM:
谢谢您的耐心解答。

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