产品老出问题，请大家帮忙分析电路是否有问题

只看该作者 · 2011-3-3 17:25

原理图如下，市电输入，负载是抱闸线圈，此电路功能大概是上电1.5秒之内输出励磁200V电压，接着输出维持电压110V。输出电流在1A以下。经常出问题，包括二极管，可控硅，三极管这些分别都有损坏问题。图是公司前人画的，我分析了下，没什么问题啊。还请高人指点

只看该作者 · 2011-3-4 12:06

1）你的R1、R2是压敏电阻吧？一般压敏电阻的参数:电源220V一般选271K的 . 380V的选471K的(471K的意思大概是470V正负20%击穿.) ---你这个电路使用的压敏是不是要考虑下-----
2）可控硅没做RC保护处理。自然容易坏掉的。根据具体型号的规格书来做保护参数设置。注意参数。不要烧毁保护器件。
3）三极管使用普通的8050系列，是不是VCEO的参数低了-----。选择VCEO高的三极管。最好是功率三极管VCEO大于150V。 4）烧二极管，那是反向击穿的。并联个小电容处理下。或者电阻电容。。。。
4）这个电路坏的频率很大-----尤其是负载波动时候反馈回来的电参数----倒灌。输出做滤波等等处理吧。

只看该作者 · 2011-3-4 12:08

5）电阻功率选择大点。这个电路也容易烧电阻的。参数在优化。

只看该作者 · 2011-3-4 17:17

谢谢楼上回复。
1）R1,R2确实是压敏电阻。下午查了一下午的压敏电阻方面的资料，看得我云里雾里。还是没彻底搞明白压敏电压和最大容许电压的区别。datesheet上面271K对应的最大容许电压的交流有效值是175V，所以这里不能选用271，而431K的是275V，我觉得电路里面压敏电阻的选型是对的。
2）还没弄明白可控硅为什么要用RC保护。
3）三极管产品里面实际使用的是9014.这里我是担心反向击穿问题，是不是要用个二极管反向并在C,E两端？
4）烧二极管，哪里来的反向电压？是负载的线圈吗？已经有D3做续流用啊。
5）还没搞明白负载波动的时候为什么会反馈电参数。
6）R4,R5的阻值确实要加大。

1万 · 2011-3-4 18:35

压敏电阻220V时用471的。

1万 · 2011-3-4 18:38

R4R5不用加大，

只看该作者 · 2011-3-5 12:20

1）压敏参数你在看下手册，来选择。我记错了，220V的选择14K471，是根据峰峰值来的。
2）可控硅做RC吸收回路是对可控硅的频响保护。注意可控硅保留余量。注意RC的选择---参数选择包括电阻功率这个参数
3）下三极管CE接阻尼二极管，但还是要选VECO大点的。-----常见继电器，变压器。。。。CTR电视的行输出变压器等等电路都有这样的应用。你查下相关资料自己多理解。
4）我没有计算。还是优化参数，包括电阻的功率问题。
5）感性负载输出。输出需要处理。。你先自己搜集资料消化。不明白的地方再问。
6）时间仓促有不足地方仅仅参考。请指明。

只看该作者 · 2011-3-5 12:56

7）三极管CE处理即可。BE之间是热击穿可以自动回复的。如果还不可以，那么用TVS串个小功率电阻接在CE之间。
8）你说的D3续流二极管好坏？？首先看看你参数选择是否对，是否买到是质量次的。还有抱闸线圈是否质量问题。
9）这个电路的整流部分最好好好设计下。为了节省成本没必要这样，维护成本比降低成本还高。在稳定可靠的前提下在节省成本。。。。。

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