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请问一个电源效率的问题

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zab|  楼主 | 2011-3-11 21:41 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电源, vi, 信号, 输出功率, FET
做了一个倍压整流电路，输出高压为4000V，负载电阻为100M，如图所示。
图中A和B为相位相差180度两路控制信号，控制两个MOSFET的交替导通；Vi为输入电压，连续可调。
在下面两种条件下，均能实现4000V的输出，但Vi的输出功率不同：
1. 当Vi=8V、A/B信号频率为15K时，Vi的输出功率为0.48W左右；
2. 当Vi=6V、A/B信号频率为20k时，Vi的输出功率为0.72W左右。
对于同样的输出负载（4000V，100M），A/B信号频率增加时，Vi的输出功率增加，也就是说电源效率下降，如何确定增加的功耗是耗在哪里呢？（MOSFET、变压器、倍压整流电路）

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gaoxe| | 2011-3-11 22:23 | 只看该作者
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mmax| | 2011-3-11 22:38 | 只看该作者
你的问题有问题!
“对于同样的输出负载（4000V，100M）”，负载就是负载，怎么牵扯到电压呢？如果是4000V、100M，则功率是确定的。如何来0.72W、0.48W。

LZ再好好理一理自己的问题吧。

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maychang| | 2011-3-11 22:39 | 只看该作者
“如何确定增加的功耗是耗在哪里呢？”
恐怕只能通过测量各元件在两种工作状况下的温升来确定。

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5楼
mmax| | 2011-3-11 23:03 | 只看该作者
他的两个条件只能说明功率不同。
不能说明那种条件下效率高，呵呵。

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6楼
mcu5i51| | 2011-3-12 12:28 | 只看该作者
可能是驱动信号造成开关管工作不良，两个管子导通状态衔接等

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7楼
mcu5i51| | 2011-3-12 12:30 | 只看该作者
另外普通二极管高频会增加损耗

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8楼
nongfuxu| | 2011-3-12 14:25 | 只看该作者
A/B信号频率增加时，Vi的输出功率增加

MOS管开关损耗增加

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9楼
dl_shuang| | 2011-3-12 18:46 | 只看该作者
增加的功耗主要在MOS开关上。因为你在高频下，vi变低，电流必然变大，MOS开关损耗增加。但增加这么多，可能是MOS管的驱动也不良。

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10楼
zab|  楼主 | 2011-3-12 19:44 | 只看该作者
本帖最后由 zab 于 2011-3-12 19:50 编辑

3# mmax
呵呵，确实我的说法有点问题，应该是对于同样的输出功率。频率提高后，电源的转换效率下降。

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11楼
zab|  楼主 | 2011-3-12 19:54 | 只看该作者
本帖最后由 zab 于 2011-3-12 20:01 编辑

6# mcu5i51
这两个MOSFET是logic level的管子，驱动信号为普通IC输出的3.3V信号，是驱动信号的驱动能力不够？

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12楼
zab|  楼主 | 2011-3-12 20:01 | 只看该作者
有没有可能是变压器的频率响应不好？

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