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请教香主:FSMC接Nandflash时,NWAIT信号的用法

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victoryang|  楼主 | 2011-3-12 08:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
用STM32F103ZET6接nandflash,nwait信号接到nand的R/B上,那是不是意味着STM32在对FLASH进行读写,擦除等一系列的操作的时候,会自动等到R/B引脚变高以后,才进行下一个命令的发出呢?而不必人为的在程序里加入对R/B的判断。比如:命令序列是写,读。那程序里即使在写命令完成后,马上跟着就是读命令,STM32自己也会在两个命令之间加入等待时间呢?

如果还需要在程序中加入R/B的判断,那随便一个IO都可以当nwait使用,ST把它设计成专用引脚又有何优势呢?

谢谢。
沙发
victoryang|  楼主 | 2011-3-16 08:08 | 只看该作者
自己顶一个

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板凳
heuyck| | 2011-3-17 11:03 | 只看该作者
控制器就是用来干这个的,不用担心。

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地板
yinyangdianzi| | 2011-3-17 13:13 | 只看该作者
有其自有的道理。。。。。LZ没领悟,手册写得模糊了

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victoryang|  楼主 | 2011-3-19 14:41 | 只看该作者
上周已经做了测试。还是加入对R/B信号判断的好。
测试方法如下:对整片nandflash进行擦除、写、读、对比操作。如果有读出数据和写入数据不一致的话,就标志该页操作失败。如果在读操作中不加入对R/B信号的判断、等待,页操作失败的数量很多,涉及几十个block。如果加入对R/B信号的判断、等待,仅有几个block操作失败,而这几个block已经被证明是坏块,连擦除都过不去。

3楼、4楼请说的明白些。

请坛主帮忙看看。

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ST_ARM| | 2011-3-19 15:40 | 只看该作者
在Nand的读写过程种,一般不是使用引脚来判断芯片内部是否是Busy,而是读取内部状态寄存器,通过对寄存器的标志位来决定操作的。

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victoryang|  楼主 | 2011-3-29 22:33 | 只看该作者
谢谢楼上的回答。
关于此问题,不再讨论了。准备结贴。
我查找了许多网友的代码,用引脚判断的人不少,现在我还用继续用引脚判断Busy。读寄存器的标志位判断也是一种好的方法。

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heuyck| | 2011-3-30 10:05 | 只看该作者
不会吧。。。这也要自己判断? 那与无控制器有啥区别。。。

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