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这个MOS的驱动，大家研判一下驱动电压合适不？

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楼主
tc9148|  楼主 | 2011-3-12 23:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 电压, os, AC
H-桥驱动，都是N-MOS。上管用24v驱动，下管用15v还是24v好呢？

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沙发
119985894| | 2011-3-13 00:20 | 只看该作者
24V不能驱动上管吧！

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maychang| | 2011-3-13 08:32 | 只看该作者
24V不能驱动上管。

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地板
tc9148|  楼主 | 2011-3-13 09:38 | 只看该作者
楼上两位：对于上管的驱动，有什么好办法吗？最近很迷惑这个。
24V不能驱动上管。那应该怎么设计呢？设计原则是什么呀？

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5楼
woshixinshou| | 2011-3-13 09:53 | 只看该作者
本帖最后由 woshixinshou 于 2011-3-13 09:54 编辑

换成P管或者将24V提到更高的30V

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6楼
tc9148|  楼主 | 2011-3-13 11:08 | 只看该作者
5楼：为什么要到30V呢

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7楼
woshixinshou| | 2011-3-13 12:09 | 只看该作者
NMOS的Vgs的完全开启电压一般都要8到10V，即是栅极G比源极S要高出10V左右。
但是现在即使光耦没有压降，加在G极的电压最多也就24V。使用这种驱动方式，我们一般期待加负载上的电压为漏极D的电源电压，理想N管Vds电压为0，若是这样的话，那么Vs的电压也为24V，这时Vg=Vs，所以大家都说上管不工作。实际上，上管工作在恒流区，发热严重。

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8楼
伟林电源| | 2011-3-13 16:52 | 只看该作者
一般的mos驱动电源是3-10v这个范围。

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9楼
tc9148|  楼主 | 2011-3-13 18:27 | 只看该作者
7楼说的我理解，我犯了一个很大的认知错误。
上管的驱动看来还得用专用驱动IC好。只在GS端加控制电压。
帖子可以沉了。

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10楼
nongfuxu| | 2011-3-13 22:26 | 只看该作者
一般MOS管的驱动电压在10V左右,因此LZ的MOS管驱动电压,不论是上MOS,还是下MOS都不好.
按绝对值来计算,上臂MOS管的驱动电压需要24+10=34V.上臂MOS管驱动电压只要10V,需要经过限流钳压.

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tc9148 + 1 谢谢，说的好
11楼
nongfuxu| | 2011-3-13 22:39 | 只看该作者
MOS管的Vgs一般都在10V左右.

FQPF5N60.pdf

634.86 KB

MTD3055E.pdf

252.14 KB

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12楼
gaohq| | 2011-3-13 23:22 | 只看该作者
上管的驱动要加个自举升压

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13楼
tc9148|  楼主 | 2011-3-13 23:53 | 只看该作者
10楼：

     你的意思是要保证Vgs要大于上管的VDD电压10V以上才行，是吧？  也就是Vgs>VDD+10。VDD是上管的D端电压，因为上管导通时，Vd约等于Vs。

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14楼
nongfuxu| | 2011-3-14 07:52 | 只看该作者
保证需要导能的MOS管的Vgs>截止电压.

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15楼
123jj| | 2011-3-14 08:03 | 只看该作者
上管的情况一般驱动有两种方式，
1、使用隔离变压器进行驱动
2、使用独立电源，用光耦驱动
...
roy_158 发表于 2011-3-13 21:02



这些方法太麻烦，成本太高。

上管的驱动，现在都不用上述方法，而直接用成本更低的自举方式。

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16楼
roy_158| | 2011-3-14 10:33 | 只看该作者
自举的最便宜~

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17楼
bbsidking| | 2011-3-14 12:37 | 只看该作者
24V俨然不能驱动 上管啊 自举技术是王道

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18楼
chuanshuoge| | 2011-3-23 10:35 | 只看该作者
这些方法太麻烦，成本太高。

上管的驱动，现在都不用上述方法，而直接用成本更低的自举方式。
123jj 发表于 2011-3-14 08:03

如果采用自举芯片，一般选择什么型号的？望大侠指导！

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19楼
Push_Pull| | 2011-3-23 10:59 | 只看该作者
上管如果换成P型MOS呢？:P

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20楼
st.you| | 2011-3-23 23:57 | 只看该作者
如果驱动信号是直流的话，用P沟道的MOS会简单些。

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