关于直流电机驱动P沟道MOS管经常坏的问题

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 楼主| heng1386 发表于 2011-3-15 21:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
这样电路有问题吗,P沟道MOS经常坏,坏的现象是不导通

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chunyang 发表于 2011-3-15 23:52 | 显示全部楼层
看不到图,用添加附件或批量上传的方法贴图。
MOS损坏通常要么是过压、要么是过流,防止二者出现就不会出现损坏,首先要正确的选择MOS管型号,注意电机启动时的电流会比较大,有些电机带载启动时的电流甚至是额定工作电流的10倍以上,要留有足够余量,其次电压选择不能仅仅考虑工作电压,电机是感性负载,要考虑因此带来的耐压问题,同时要有反向泄流回路。以上是一般设计原则,必须考虑的。
 楼主| heng1386 发表于 2011-3-17 16:23 | 显示全部楼层
电路图如下,可它经常坏P沟道MOS管,不知是不是P沟道MOS管的上拉电阻过小,造成MOS管的G极电流过大,长时间损坏MOS

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tzy785 发表于 2011-3-17 23:09 | 显示全部楼层
Mos管的栅极很容易积累少量的感应电荷,从而产生高的电压,而Rgs很大,所感应的电荷难以释放,容易造成管子损坏。所以你要在栅极和源极之间提供直流通路
谈的元 发表于 2011-3-17 23:19 | 显示全部楼层
P沟道MOS管,导通时,控制端电压为0,GD端电压为24V,看是否超过你管子的耐压,如果超过,改分压驱动:在PWM1—1处串一个电阻。
R22可以去掉。
 楼主| heng1386 发表于 2011-3-18 08:36 | 显示全部楼层
对于4楼:
"所以你要在栅极和源极之间提供直流通路"  ,   是不是在PWM1_1处加个电阻到地,


对于5楼:
MOS管的参数中没有VGD这个参数,有VGS这个参数,VGS有24V并不超过管子的耐压,管子的耐压VGS =+-30V
szshawn2010 发表于 2011-3-18 10:10 | 显示全部楼层
要是不会计算,直接换个大功率的 MOS看看情况不就知道了
谈的元 发表于 2011-3-18 23:11 | 显示全部楼层
对于4楼:
"所以你要在栅极和源极之间提供直流通路"  ,   是不是在PWM1_1处加个电阻到地,


对于5楼:
MOS管的参数中没有VGD这个参数,有VGS这个参数,VGS有24V并不超过管子的耐压,管子的耐压VGS =+-30V ...
heng1386 发表于 2011-3-18 08:36


驱动电机,可能有超过30V的干扰

示波器测量,如有

驱动分压,加小电容,稳压管保护
 楼主| heng1386 发表于 2011-3-19 08:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 heng1386 于 2011-3-19 09:10 编辑

"加小电容,稳压管保护"  是加在栅极吧

能不能把电路图贴出来
谈的元 发表于 2011-3-19 20:10 | 显示全部楼层
并在GD上
谈的元 发表于 2011-3-19 20:10 | 显示全部楼层
并在GD上
 楼主| heng1386 发表于 2011-3-20 12:14 | 显示全部楼层
并的小电容的值在 102-104 之间行不
tc9148 发表于 2011-3-20 12:22 | 显示全部楼层
MOS管的坏的时候有什么特征没有?炸了还是很烫?
要查找原因需要有很多现象来支撑。
 楼主| heng1386 发表于 2011-3-20 13:08 | 显示全部楼层
PMOS管坏之后,就是给了低电平也不导通, 没炸,烫不烫就不知道
tkydax 发表于 2011-3-20 17:15 | 显示全部楼层
关键是死区控制不让同侧两个MOS管同时导通
 楼主| heng1386 发表于 2011-3-20 18:58 | 显示全部楼层
本帖最后由 heng1386 于 2011-3-20 19:01 编辑

我的PWM信号经过反相后到同侧的NMOS就是为了不让同侧的MOS管同时导通, 那里个ULN2003的,由CPU出来的PWM经ULN2003反相后控制高端的MOS管,同时由CPU出来的PWM经反相器后控制低端的MOS管
tkydax 发表于 2011-3-20 20:59 | 显示全部楼层
最好量一下PMOS管的Vgs、Vds的波形再分析,
这里用ULN2003驱动PMOS转换速度不够吧,
G极电阻4.7K太大了吧
 楼主| heng1386 发表于 2011-3-20 22:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 heng1386 于 2011-3-20 22:03 编辑

我只量过G对地的波形,Vgs、 Vds的没量过。
用ULN2003速度还可以,用示波测过,给50%的PWM,波形很好,不过在加上PMOS管了,再测波形就没有这么好了。  
G极的电阻一般多大
tkydax 发表于 2011-3-20 22:33 | 显示全部楼层
ULN2003的上升沿下降沿不够陡,最大1us,比74LS04差多了,
PMOS管饱和和截止的过渡时间太长可能会使同侧MOS同时导通,
G极电阻取100 ohm就可以了
 楼主| heng1386 发表于 2011-3-20 23:00 | 显示全部楼层
哦,上阻电阻4.7K不用改,然后把G极电阻改成100欧姆就行了吧
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