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关于直流电机驱动P沟道MOS管经常坏的问题

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楼主
heng1386|  楼主 | 2011-3-15 21:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 直流电机驱动, Local, 电路
这样电路有问题吗，P沟道MOS经常坏，坏的现象是不导通

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沙发
chunyang| | 2011-3-15 23:52 | 只看该作者
看不到图，用添加附件或批量上传的方法贴图。
MOS损坏通常要么是过压、要么是过流，防止二者出现就不会出现损坏，首先要正确的选择MOS管型号，注意电机启动时的电流会比较大，有些电机带载启动时的电流甚至是额定工作电流的10倍以上，要留有足够余量，其次电压选择不能仅仅考虑工作电压，电机是感性负载，要考虑因此带来的耐压问题，同时要有反向泄流回路。以上是一般设计原则，必须考虑的。

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板凳
heng1386|  楼主 | 2011-3-17 16:23 | 只看该作者
电路图如下,可它经常坏P沟道MOS管，不知是不是P沟道MOS管的上拉电阻过小，造成MOS管的G极电流过大，长时间损坏MOS

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地板
tzy785| | 2011-3-17 23:09 | 只看该作者
Mos管的栅极很容易积累少量的感应电荷，从而产生高的电压，而Rgs很大，所感应的电荷难以释放，容易造成管子损坏。所以你要在栅极和源极之间提供直流通路

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5楼
谈的元| | 2011-3-17 23:19 | 只看该作者
P沟道MOS管，导通时，控制端电压为0，GD端电压为24V，看是否超过你管子的耐压，如果超过，改分压驱动：在PWM1—1处串一个电阻。
R22可以去掉。

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6楼
heng1386|  楼主 | 2011-3-18 08:36 | 只看该作者
对于4楼：
"所以你要在栅极和源极之间提供直流通路"  ,   是不是在PWM1_1处加个电阻到地,


对于5楼：
MOS管的参数中没有VGD这个参数，有VGS这个参数，VGS有24V并不超过管子的耐压，管子的耐压VGS =+-30V

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7楼
szshawn2010| | 2011-3-18 10:10 | 只看该作者
要是不会计算，直接换个大功率的 MOS看看情况不就知道了

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8楼
谈的元| | 2011-3-18 23:11 | 只看该作者
对于4楼：
"所以你要在栅极和源极之间提供直流通路"  ,   是不是在PWM1_1处加个电阻到地,


对于5楼：
MOS管的参数中没有VGD这个参数，有VGS这个参数，VGS有24V并不超过管子的耐压，管子的耐压VGS =+-30V ...
heng1386 发表于 2011-3-18 08:36


驱动电机，可能有超过30V的干扰

示波器测量，如有

驱动分压，加小电容，稳压管保护

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9楼
heng1386|  楼主 | 2011-3-19 08:23 | 只看该作者
本帖最后由 heng1386 于 2011-3-19 09:10 编辑

"加小电容，稳压管保护"  是加在栅极吧

能不能把电路图贴出来

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10楼
谈的元| | 2011-3-19 20:10 | 只看该作者
并在GD上

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11楼
谈的元| | 2011-3-19 20:10 | 只看该作者
并在GD上

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12楼
heng1386|  楼主 | 2011-3-20 12:14 | 只看该作者
并的小电容的值在 102-104 之间行不

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13楼
tc9148| | 2011-3-20 12:22 | 只看该作者
MOS管的坏的时候有什么特征没有？炸了还是很烫？
要查找原因需要有很多现象来支撑。

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14楼
heng1386|  楼主 | 2011-3-20 13:08 | 只看该作者
PMOS管坏之后，就是给了低电平也不导通， 没炸，烫不烫就不知道

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15楼
tkydax| | 2011-3-20 17:15 | 只看该作者
关键是死区控制不让同侧两个MOS管同时导通

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16楼
heng1386|  楼主 | 2011-3-20 18:58 | 只看该作者
本帖最后由 heng1386 于 2011-3-20 19:01 编辑

我的PWM信号经过反相后到同侧的NMOS就是为了不让同侧的MOS管同时导通, 那里个ULN2003的，由CPU出来的PWM经ULN2003反相后控制高端的MOS管，同时由CPU出来的PWM经反相器后控制低端的MOS管

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17楼
tkydax| | 2011-3-20 20:59 | 只看该作者
最好量一下PMOS管的Vgs、Vds的波形再分析，
这里用ULN2003驱动PMOS转换速度不够吧，
G极电阻4.7K太大了吧

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18楼
heng1386|  楼主 | 2011-3-20 22:01 | 只看该作者
本帖最后由 heng1386 于 2011-3-20 22:03 编辑

我只量过G对地的波形，Vgs、 Vds的没量过。
用ULN2003速度还可以，用示波测过，给50%的PWM，波形很好，不过在加上PMOS管了，再测波形就没有这么好了。  
G极的电阻一般多大

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19楼
tkydax| | 2011-3-20 22:33 | 只看该作者
ULN2003的上升沿下降沿不够陡，最大1us，比74LS04差多了，
PMOS管饱和和截止的过渡时间太长可能会使同侧MOS同时导通，
G极电阻取100 ohm就可以了

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20楼
heng1386|  楼主 | 2011-3-20 23:00 | 只看该作者
哦，上阻电阻4.7K不用改，然后把G极电阻改成100欧姆就行了吧

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