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大家帮忙分析下这个电路图

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楼主

这是个串联电流负反馈,恒流源电路,有几个问题:
1、三极管基极有58uA电流,方向是流进运放输出端,实际中可行吗?
     op07输出是集电极开路输出吗?可以灌电流吗?
2、op07这里是双电源供电,可以单电源供电吗?
     若是op07不可以单电源供电,此电路可以选择其他运放吗?单电源供电会影响此
     电路性能吗
3、环境温度升高时,三极管be结会发生变化,Ube变化,或者Ib变化,运放能够通过
     负反馈调整这个变化吗?因为我要求输出电流稳定度高,希望不受温度影响太大,若
     是运放不能调整,选择JFET管替代三极管应该可行吧

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沙发
awey| | 2011-3-15 22:53 | 只看该作者
1、三极管的Ib是有影响,精度高可以用P沟道MOS管。OP07不是OC输出,可以灌进电流。
2、可以用单电源,电路不用改动。
3、温度引起的BE电压变化没关系,变化在深度负反馈的环路内。输出电流的温度稳定性主要取决于基准电压,要求高可以选低温漂的基准。

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板凳
hanzhenwei|  楼主 | 2011-3-15 23:00 | 只看该作者
1、所有运放都可以灌进电流吗? 还是只有OC输出的运放可以灌进电流?
   还是非OC输出的运放可以灌进电流? 从这个电路中发现基极有电流进入运放,担心运放选型不正确,工作久了毁了运放
2、基准电压,还有那个取样电阻R2,运放,我都准备选用精度好,温漂小的。只要是能把环境温度引起的电流变化降低就行,我要求稳定度非常严格
3、P沟道MOS管和p沟道JFET 有什么优缺点吗?哪个适合我这个恒流源呢
谢谢awey!!!

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地板
awey| | 2011-3-15 23:14 | 只看该作者
1、运放的输出基本上是推拉输出的结构,可输出电流也可以灌入电流。而比较器大多是OC输出的。
2、OK
3、用P沟道的MOS管,不要用JFET的,JFET的现在用得非常少,市场上也很少见,而且用在你这里也不适合。

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5
hanzhenwei|  楼主 | 2011-3-15 23:38 | 只看该作者
awey这么晚还不睡啊,若是要休息了,明天再解答吧。
从心底感谢你们这些无私奉献的高手们!
1、为什么JFET用在我这电路里不适合呢?
2、MOS管对于静电放电(ESD)的抵抗能力较差,因此在MOSFET的输入端往往需要设置防止ESD破坏的二极管等元器件。我对此比较顾忌,所以没太敢用。
3、我前面仿真的那个电路,负载只能是1k以下的,超过1k的话电流会减小了。我的负载不超过1k。但我还是想知道若负载很大的话,别人是怎么做到恒流的呢?

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6
ljm810010| | 2011-3-16 01:46 | 只看该作者
代老A答:
1、你见过P沟道的JFET吗?我就没见过,若真的有,也是罕见,你可能买不到。
2、不必担心,只需在MOS管的GS间并接12V左右的稳压管即可。
3、恒流源也有最大输出电压的制约,假如负载是10K,电流10mA,那么负载上需施加100V电压,试问15V的电源,又怎能输出100V的电压呢?若确需接大负载,唯一方法只能是提高电源电压。

另外,采用MOS管输出,由于GS间电容影响,电路很容易产生振荡,必须添加适当的补偿网络,电路才能正常工作。而采用原电路的普通三极管作输出可减轻或避免此问题,但三极管的HFE参数受温度变化较大,将影响恒流的稳定性。

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7
hanzhenwei|  楼主 | 2011-3-16 16:06 | 只看该作者
6楼: 你最后面说采用三极管的话,受温度变化影响,影响横流的稳定性
但2楼awey说
“3、温度引起的BE电压变化没关系,变化在深度负反馈的环路内。输出电流的温度稳定性主要取决于基准电压,要求高可以选低温漂的基准。”
我现在很想知道,温度变化带来的影响 是否能通过运放这个负反馈 调整过来呢? 到底对稳定性有没有影响呢?
我确实要求稳定性要好

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8
maychang| | 2011-3-16 16:20 | 只看该作者
7楼:
你的问题,awey不是在2楼已经说过了吗?
“变化在深度负反馈的环路内”。

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9
ljm810010| | 2011-3-16 17:27 | 只看该作者
awey只是说温度引起Vbe变化可以通过深度反馈补偿回来,但温度引起的HEF变化导至输出电流变化,是不能通过深度反馈补回来的。原因很简单,电流取样电阻是串在E极,而不是串在输出端的C极。

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10
maychang| | 2011-3-16 17:37 | 只看该作者
关于三极管Hfe变化的影响,awey在2楼就已经说过了:
“三极管的Ib是有影响,精度高可以用P沟道MOS管”。

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11
bbsidking| | 2011-3-16 18:04 | 只看该作者
楼上几位回复得很认真啊,非常赞~

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