三极管击穿电压大小问题?

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 楼主| manking 发表于 2011-3-16 16:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 manking 于 2011-3-16 16:53 编辑

三极管发射极开路时 集电结反偏击穿电压 UBR(cbo)
三极管发射结反偏时 集电极与发射极之间击穿电压UBR(cex)





这两个击穿电压哪个大,能否给出简单的解释?
sxdxy 发表于 2011-3-16 18:02 | 显示全部楼层
发射结反向击穿电压低,因为发射极掺杂浓度比集电极高。你可以查看一些常用二极管的发射结反向击穿电压都有标明
 楼主| manking 发表于 2011-3-16 19:55 | 显示全部楼层
发射结反向击穿电压低,因为发射极掺杂浓度比集电极高。你可以查看一些常用二极管的发射结反向击穿电压都有标明
sxdxy 发表于 2011-3-16 18:02


感谢回复,发射结击穿电压确实是最低的,

我现在的问题是:发射结只是反偏
三极管发射极开路时 集电结反偏击穿电压 UBR(cbo)
发射结反偏时 集电极与发射极之间击穿电压UBR(cex)
这两个击穿电压大小?
maychang 发表于 2011-3-16 20:19 | 显示全部楼层

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 楼主| manking 发表于 2011-3-17 21:45 | 显示全部楼层
感谢4#回复,能否解释一下,感觉看这个图,还是理解的不太好
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