mos管有个参数最大功率

只看该作者 · 2011-3-20 23:31

比如2n6756或者其他的，
假设它是30w，我流过此管子电流是10A，压降是2v，那功率就是20W小于它的30W，这样我就不用给它加散热片了？

什么样情况要加，什么情况不加啊

如果要是加的话，我加多大的呢？什么规格的呢，对散热片不太了解

3万 · 2011-3-20 23:47

不加散热片，耗散功率只有1～2W。

4万 · 2011-3-20 23:55

晶体管/MOS管的封装本身有耗散功率参数，手册里有，有些手册中未提及的话，去查封装的耗散功率参数，而器件的最大耗散功率是指带散热片以后的极限参数，如果实际使用超出了封装的耗散功率就必须加散热片，而散热片也有耗散功率参数，要选择耗散功率大于实际使用功率的散热器，并根据散热情况留取适当余量。如果使用功率大于了器件的极限耗散功率则是万万不行的，加再大散热片也不行。

2万 · 2011-3-21 09:38

从器件的datasheet中可以学习不少东西，下面是个人理解：

最大耗散功率的条件, 器件一般给出两条: 一是外壳无热阻地处于25摄氏度环镜, 另一个是外壳无热阻地处于100摄氏度环境, 注意这里的环境是指无限大散热器, 实际上无限大散热器不存在，而且由于中间还隔了一层绝缘垫片，零热阻是不可能的, 因此永远不可能实现手则上的这个耗散功率值.
器件有一个结至外壳的热阻 Rjc, 唯一正确的评估器件的额定功耗为Pd=(150-壳温)/Rjc

只看该作者 · 2011-3-21 09:41

必须加散热片，板子允许范围内尽量大

只看该作者 · 2011-3-21 20:14

2-5楼说的让我明白了好多！！高兴！
4楼说的外壳指的就是管子自己的封装是吧？
器件有一个结至外壳的热阻 Rjc, 唯一正确的评估器件的额定功耗为Pd=(150-壳温)/Rjc
这个评估出来的功耗指的是器件不加散热片的时候功耗吧，散热能力。

只看该作者 · 2011-3-22 16:55

今天又看了下， pd还是指加散热片之后的最大耗散功率

4万 · 2011-3-22 17:05

外壳就是指器件封装。热阻分两层，一是核心到封装，正是这个热阻的存在，无限大散热片也不能无限提高器件的耗散功率；二是外壳到外部环境的热阻，这个热阻比较复杂，跟散热器、散热器到外部环境等都相关，如果器件和散热器之间有绝缘材料或是接触的不紧密、接触面积不够大，也会造成热阻上升，同样的，没有适当的空气流动，热阻也会加大。

只看该作者 · 2013-5-11 10:36

请问耗散功率与其内部的导通电阻有什么直接关系？？有公式计算么？？

3万 · 2013-5-11 11:04

xl1736 发表于 2013-5-11 10:36
请问耗散功率与其内部的导通电阻有什么直接关系？？有公式计算么？？

你所说的“耗散功率”是否指楼主所说“最大耗散功率”？

只看该作者 · 2013-10-13 12:53

maychang 发表于 2013-5-11 11:04
你所说的“耗散功率”是否指楼主所说“最大耗散功率”？

是的。比如IRF3205 datasheet上标称的功耗150W是指电流作用于管子上产生的功耗还是管子所带负载产生的功耗？如果是管子上的功耗那我们就可以用II*R来算功耗了，是不？

3万 · 2013-10-13 13:03

xl1736 发表于 2013-10-13 12:53
是的。比如IRF3205 datasheet上标称的功耗150W是指电流作用于管子上产生的功耗还是管子所带负载产生的功 ...

当然是指管子自身消耗的功率，最大允许值。
对MOS管，可以用I*I*R计算其消耗的功率。

只看该作者 · 2013-10-13 13:11

maychang 发表于 2013-10-13 13:03
当然是指管子自身消耗的功率，最大允许值。
对MOS管，可以用I*I*R计算其消耗的功率。 ...

我明白了，谢谢你！

mos管有个参数最大功率

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