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少数载流子存储效应

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 楼主| shengchen 发表于 2011-3-21 19:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
场效应管, 模电, 电路, 高频电路
今天看模电书看到：场效应管没有耗尽区的少数载流子存储效应，适用于高频电路。请问什么是少数载流子存储效应？
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HWM 发表于 2011-3-21 20:28 | 显示全部楼层
re LZ:

“少数载流子存储效应”就是PN结的“扩散电容”效应，源于PN结正偏。结型肠管的PN结工作在反偏下，因此没有相应的效应。MOS场管则无PN结，所以更无此效应。
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PowerAnts 发表于 2011-3-21 21:10 | 显示全部楼层
高频场效应管的输入电容比BJT大一个数量级，输入阻抗匹配比BJT难做。
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HWM 发表于 2011-3-21 21:22 | 显示全部楼层
真要玩的话，得测S参数。当然也得有网分，否则只能瞎蒙。
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 楼主| shengchen 发表于 2011-3-22 10:47 | 显示全部楼层
4# HWM
谢谢大侠。。
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PowerAnts 发表于 2011-3-22 10:52 | 显示全部楼层
真要玩的话，得测S参数。当然也得有网分，否则只能瞎蒙。
HWM 发表于 2011-3-21 21:22


还好了, 只要是有牌号的射频功率器件, 厂家都会提供S参数
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