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求救nand 读写的一个问题,(附详细现象)

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wizzy|  楼主 | 2007-7-6 03:42 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
256M bit NandFlash 读写正常,换到1G bit NandFlash并改写软件(对应的地址设定多加一个设置高位地址命令),读写就出错
现象: 1) 读ID正常
       2) 写NAND时读到的状态字正常
       3) 写NAND后读回来的都是0xff  :( :(
       4) 把地址设定改成3周期操作256M Nand 正常
       5) 用For 1G的软件(4周期地址设定) 可以读写256M的NAND
          (测试只对0block进行操作)

请教各位大侠,我错在什么地方,我目前测试只对0page读写操作.
使用的是hy27系列nand flash,只进行了读0 page,写0 page,擦0 block 的操作







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沙发
平常人| | 2007-7-6 08:07 | 只看该作者

错在没有好好地比较两者的时序差别,这是最重要的

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板凳
wizzy|  楼主 | 2007-7-6 11:40 | 只看该作者

1

我对比了资料,除了地址设定的时候多了一个cycle,没有发现不同点,我对比的是hy27系列的资料,再看看三星的资料吧,平常人老兄能否赐教得更具体

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地板
wizzy|  楼主 | 2007-7-6 22:42 | 只看该作者

再次恳请赐教

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5
cl17726| | 2015-10-3 17:23 | 只看该作者
你一个很久的帖子,问你一下,这个解决了没,我也是写NAND,然后读取都是0XFF,然后把NAND拆下来,发现还是0XFF,感觉就是NAND没正确访问,求助.

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