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求救nand 读写的一个问题，（附详细现象）

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 楼主| wizzy 发表于 2007-7-6 03:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
NAND, 读写, flash, dflash, nandflash
256M&nbsp;bit&nbsp;NandFlash&nbsp;读写正常，换到1G&nbsp;bit&nbsp;NandFlash并改写软件（对应的地址设定多加一个设置高位地址命令），读写就出错<br />现象：&nbsp;1)&nbsp;读ID正常<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;2)&nbsp;写NAND时读到的状态字正常<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;3)&nbsp;写NAND后读回来的都是0xff&nbsp;&nbsp;:(&nbsp;:(<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;4)&nbsp;把地址设定改成3周期操作256M&nbsp;Nand&nbsp;正常<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;5)&nbsp;用For&nbsp;1G的软件(4周期地址设定)&nbsp;可以读写256M的NAND<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;（测试只对0block进行操作）<br /><br />请教各位大侠，我错在什么地方,我目前测试只对0page读写操作.<br />使用的是hy27系列nand&nbsp;flash，只进行了读0&nbsp;page,写0&nbsp;page,擦0&nbsp;block&nbsp;的操作<br /><br /><br /><br /><br /><br /><br /><br />
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平常人 发表于 2007-7-6 08:07 | 显示全部楼层

错在没有好好地比较两者的时序差别，这是最重要的

  
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 楼主| wizzy 发表于 2007-7-6 11:40 | 显示全部楼层

1

我对比了资料，除了地址设定的时候多了一个cycle,没有发现不同点，我对比的是hy27系列的资料，再看看三星的资料吧，平常人老兄能否赐教得更具体
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 楼主| wizzy 发表于 2007-7-6 22:42 | 显示全部楼层

再次恳请赐教

  
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cl17726 发表于 2015-10-3 17:23 | 显示全部楼层
你一个很久的帖子,问你一下,这个解决了没,我也是写NAND,然后读取都是0XFF,然后把NAND拆下来,发现还是0XFF,感觉就是NAND没正确访问,求助.
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