求助关于falsh擦写次数

发表于 2011-3-28 11:16

求助关于stm32f100xx的falsh擦写次数，因为需要有一块flash数据区域，可能会有擦写的要求，但是手册没找到关于擦写次数的说明，问问各位高手了

发表于 2011-3-28 13:02

貌似乎是1w次

发表于 2011-3-28 13:51

确定吗？在什么文档上可以找到

发表于 2011-3-28 14:37

数据手册上有相关的数据。

发表于 2011-4-5 20:33

[img]

[/img]

这是mxchip的视频教程的截图

发表于 2011-4-5 21:59

现在的Flash的擦写次数基本一样。

发表于 2011-4-6 12:55

本帖最后由 adams.gh 于 2011-4-6 12:58 编辑

现在的Flash的擦写次数基本一样。
CrazyST 发表于 2011-4-5 21:59

一般的flash都是10 w次。
可是mxchip教程里STM32的这个flash是1w次。宁可信其少，不可信其多。呵呵。

发表于 2011-4-6 14:58

哪里写了？

数据手册上有木有？

数据手册的电气特性里有木有？

数据手册的电气特性的Memory characteristics章节里有木有？

发表于 2011-4-6 16:02

:Q 木有，都木有