本帖最后由 onixya 于 2011-4-7 13:22 编辑
各位好~
我现在碰到一个问题，我们的产品中，有一个双向可控硅，它的负载是一个单向异步电机。这个可控硅两端并联了一个阻容吸收电路。
之前的选型用的是一个 472k/400V 的CBB电容和一个33ohm的碳膜电阻。在实际的使用中，电网输入电压不稳的情况下，出现了吸收电容烧毁的情况。
现在对这个电路的改善中，出现了以下分歧：
1，吸收回路的作用，我的个人理解是，控制可控硅的 dV/dt 以防止误动作的，但是公司的一些老工程师说是抑制电机的关断反向电动势，这个我用示波器观察过一段时间，有没有这个吸收回路，可控硅两端的电压波形基本上没有区别。但是网上的资料还是集中在吸收反向电动势上，请大家帮忙讨论，到底是什么作用。
2，器件的选型上， 我从大蚂蚁的博客上看到，我的这个可控硅，关断耐压600V,额定电流8A，所以我个人建议 阻值就取600V/8A=75ohm，同时为了保证它通过瞬间电流的能力，选择线绕电阻或者金属膜电阻比较合适，不知道是否正确；
这个电容的选择上，我看过其工作环境，交流峰峰值在 1400V左右。我的建议是使用安规X2电容，但是公司的前辈建议用 2KV的高压瓷片电容，他认为安规的耐压不够，我的理解是安规电容的耐压比其标称的要大很多，应该是可以用的，请高手们帮分析下，这样的工作环境下，那种电容比较好？
请高手们帮忙讨论讨论！
最后我试着把图贴上来，不知道能不能成功：
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