PMOS的失效分析-解决方法征集

只看该作者 · 2011-4-13 18:43

最近的生产中某一款Pmos被击穿失效出奇的多，改Pmos在其它地方大量使用，只有一个位置会出现该失效模式，并且只有在我们内部的测试才会出现（在SMT厂也做初步的通电测试），由于我们的产线都有做ESD的防护，目前还不清楚在那里回导致该问题，为了能在实验室复现该问题，我用静电枪去打mos管的外围电路，设置的是+2KV，但是至于打到Pmos的本体才能导致Pmos失效，这种情况在生产中不可能出现，我上网查到人体经过ESD防护后可能还会残留40-100V的电压，这时如果人的手直接触摸Pmos的管脚可能导致Pmos失效，但是这种测试很难实现。ESD枪设置不到这个量级，怎么去再现这个问题，是我现在比较难于解决的问题，
我想了个解决办法，就是利用生产过程做实验，这个代价比较大，需要想办法解决---待续

只看该作者 · 2011-4-14 14:36

不知道静电枪能否通过电阻分压来完成低压的产生？

只看该作者 · 2011-4-17 10:44

需要考虑电阻的功率问题，及波形是否失真问题

只看该作者 · 2011-4-26 16:27

最近一直在产线查这个问题的原因，搞得连网友会也没有参加成，问题基本查明，生产工艺和设计都有一些问题。
1，工艺问题时测试中会有金属部件不小心碰到通电的pcb，这是不良的90%的原因。
2，设计原因就是mos管做开关，目前怀疑设计导致的原因不良，仅1%，原因是后面的电解电容太多会导致过冲电流的宽度接近spec极限，虽然在目前的设计下做测试没有直接出问题，我加大电容（1倍的容量）做，可以必现相似的故障，准备修改软件后在1倍的容量下出故障，再走一次生产的流程，理论上不能有不良了，目前怀疑设计导致的原因不良，仅1%不良。