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初学《晶体管电路设计》的不解,求教

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qqiummo|  楼主 | 2011-4-16 11:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如下图,铃木雅臣的《晶体管电路设计》提及设计一个电压增益为5(14db)倍,最大输出电压为5v、频率特性和输入、输出阻抗任意的共射放大电路,为了吸收基极-发射极间的电压随温度的变化,使工作点稳定,Re的直流压降必须在1V以上,虽然他有说这是因为VBE约为0.6V,有-2.5mv/C的温度特性,当我想不明白的是为什么一定要在1V以上?假如在1V以下又会怎样呢?可否具体给一个例子呢?求解答,谢谢

2sc2458共射放大电路.png (15.87 KB )

2sc2458共射放大电路.png

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沙发
airwill| | 2011-4-16 12:29 | 只看该作者
为什么一定要在1V以上?
1V 以下也没有问题, 甚至 Re 为0, 直接接地, 都可以用.
但是为了减小 Vbe 的温度特性对工作点稳定性的影响, Re的直流压降要大一些, 要求设计在1V以上.

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板凳
qqiummo|  楼主 | 2011-4-16 12:46 | 只看该作者
回楼上,其实我明白这是为了减小 Vbe 的温度特性对工作点稳定性的影响,当时我不明白的是怎样通过考虑Vbe 的温度特性对工作点稳定性的影响,而确定一定要在1V或几V以上,是可以计算的吗?还是经验所得?

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地板
qqiummo|  楼主 | 2011-4-17 13:22 | 只看该作者
再一次请教,如何确定满足吸收基极-发射极间的电压随温度的变化,使工作点稳定条件的Re两端的电压范围

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5
jiangwo| | 2011-4-17 18:51 | 只看该作者
我理解为经验所得

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6
xl710455229| | 2011-4-18 18:08 | 只看该作者
我没的理解

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7
mhjerry| | 2011-4-19 16:28 | 只看该作者
额,“1V"的说法,我还是第一次听说,,,汗,,,
不过我思考一下,比如说温度升高时,ic和ie增大,那么电阻Re上的电压增大,由于基极电位几乎恒定,所以Ube=Ub-Ue使Ube减小,从而减小Ib,减小Ic,Ie实现静态工作点稳定。如果Re上的电压小于1V,那发射极电流的变化而产生的电压变化的相对量就会太小,反馈效果不是太好。所以我估计有这个1V的经验说法。
我的自己的想法。。。

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