初学《晶体管电路设计》的不解，求教

登录 · 发表于 2011-4-16 11:56

如下图，铃木雅臣的《晶体管电路设计》提及设计一个电压增益为5（14db）倍，最大输出电压为5v、频率特性和输入、输出阻抗任意的共射放大电路，为了吸收基极-发射极间的电压随温度的变化，使工作点稳定，Re的直流压降必须在1V以上,虽然他有说这是因为VBE约为0.6V，有-2.5mv/C的温度特性，当我想不明白的是为什么一定要在1V以上？假如在1V以下又会怎样呢？可否具体给一个例子呢？求解答，谢谢

发表于 2011-4-16 12:29

为什么一定要在1V以上？
1V 以下也没有问题, 甚至 Re 为0, 直接接地, 都可以用.
但是为了减小 Vbe 的温度特性对工作点稳定性的影响, Re的直流压降要大一些, 要求设计在1V以上.

发表于 2011-4-16 12:46

回楼上，其实我明白这是为了减小 Vbe 的温度特性对工作点稳定性的影响，当时我不明白的是怎样通过考虑Vbe 的温度特性对工作点稳定性的影响，而确定一定要在1V或几V以上，是可以计算的吗？还是经验所得？

发表于 2011-4-17 13:22

再一次请教，如何确定满足吸收基极-发射极间的电压随温度的变化，使工作点稳定条件的Re两端的电压范围

发表于 2011-4-17 18:51

我理解为经验所得

发表于 2011-4-18 18:08

我没的理解

发表于 2011-4-19 16:28

额，“1V"的说法，我还是第一次听说，，，汗，，，
不过我思考一下，比如说温度升高时，ic和ie增大，那么电阻Re上的电压增大，由于基极电位几乎恒定，所以Ube=Ub-Ue使Ube减小，从而减小Ib，减小Ic,Ie实现静态工作点稳定。如果Re上的电压小于1V，那发射极电流的变化而产生的电压变化的相对量就会太小，反馈效果不是太好。所以我估计有这个1V的经验说法。
我的自己的想法。。。

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