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驱动MOSFET和IGBT的电路输出结构为什么是三极管+FET？

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楼主
robin0557|  楼主 | 2011-4-25 13:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
IGBT, MOSFET, 三极管, 电路, HC
看到一份手册：
HCPL-3120的
推挽结构，三极管+FET。这种结构有优势？

未命名.JPG (23.98 KB )

未命名.JPG

HCPL3120.pdf

250.51 KB

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沙发
windertakers| | 2011-4-25 17:17 | 只看该作者
貌似为了提高开关速度》？？？

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板凳
伟林电源| | 2011-4-25 18:07 | 只看该作者
关断速度快且损耗小。

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地板
wusong_303| | 2011-4-25 21:50 | 只看该作者
因为IGBT和mosfet属于压控型元件，其工作不仅需要一定的驱动电压，也需要一定的驱动电流。楼主所说的就是为了增大驱动能力，3楼说的很对，就是为了降低IGBT的开通和关断过程的损耗

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5楼
hjl2832| | 2011-4-27 09:40 | 只看该作者
因为MOSFET的GS之间存在结电容，上桥的三级管能提供大电流给结电容充电，使开通时间变短，开通损耗最小，下桥的FET拥有最小的导通电阻，使关断时的放电时间最少，损耗最低。

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6楼
robin0557|  楼主 | 2011-4-27 12:38 | 只看该作者
是不是可以这样理解：BJT的开关速度快，负载开启迅速；FET的导通电阻小，关断彻底

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