21ic电子技术开发论坛 › 综合技术交流 › 电源技术 › 驱动MOSFET和IGBT的电路输出结构为什么是三极管+FET？ ...
返回列表 发新帖我要提问

驱动MOSFET和IGBT的电路输出结构为什么是三极管+FET？

[复制链接]
3517|5
 楼主| robin0557 发表于 2011-4-25 13:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
IGBT, MOSFET, 三极管, 电路, HC
看到一份手册：
HCPL-3120的
推挽结构，三极管+FET。这种结构有优势？

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册

×
回复

收藏 举报

相关帖子
windertakers 发表于 2011-4-25 17:17 | 显示全部楼层
貌似为了提高开关速度》？？？
回复

收藏 举报

伟林电源 发表于 2011-4-25 18:07 | 显示全部楼层
关断速度快且损耗小。
回复

收藏 举报

wusong_303 发表于 2011-4-25 21:50 | 显示全部楼层
因为IGBT和mosfet属于压控型元件，其工作不仅需要一定的驱动电压，也需要一定的驱动电流。楼主所说的就是为了增大驱动能力，3楼说的很对，就是为了降低IGBT的开通和关断过程的损耗
回复

收藏 举报

hjl2832 发表于 2011-4-27 09:40 | 显示全部楼层
因为MOSFET的GS之间存在结电容，上桥的三级管能提供大电流给结电容充电，使开通时间变短，开通损耗最小，下桥的FET拥有最小的导通电阻，使关断时的放电时间最少，损耗最低。
回复

收藏 举报

 楼主| robin0557 发表于 2011-4-27 12:38 | 显示全部楼层
是不是可以这样理解：BJT的开关速度快，负载开启迅速；FET的导通电阻小，关断彻底
回复

收藏 举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

robin0557

17

主题

68

帖子

0

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部