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驱动MOSFET和IGBT的电路输出结构为什么是三极管+FET?

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看到一份手册:
HCPL-3120的
推挽结构,三极管+FET。这种结构有优势?

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未命名.JPG

HCPL3120.pdf

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沙发
windertakers| | 2011-4-25 17:17 | 只看该作者
貌似为了提高开关速度》???

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板凳
伟林电源| | 2011-4-25 18:07 | 只看该作者
关断速度快且损耗小。

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地板
wusong_303| | 2011-4-25 21:50 | 只看该作者
因为IGBT和mosfet属于压控型元件,其工作不仅需要一定的驱动电压,也需要一定的驱动电流。楼主所说的就是为了增大驱动能力,3楼说的很对,就是为了降低IGBT的开通和关断过程的损耗

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hjl2832| | 2011-4-27 09:40 | 只看该作者
因为MOSFET的GS之间存在结电容,上桥的三级管能提供大电流给结电容充电,使开通时间变短,开通损耗最小,下桥的FET拥有最小的导通电阻,使关断时的放电时间最少,损耗最低。

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robin0557|  楼主 | 2011-4-27 12:38 | 只看该作者
是不是可以这样理解:BJT的开关速度快,负载开启迅速;FET的导通电阻小,关断彻底

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